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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloDMN2011UFDE-7
Diodes Incorporated
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

DMN2011UFDE-7 - Diodes Incorporated

fabbricante Modello di prodotti
DMN2011UFDE-7
fabbricante
Diodes Incorporated
Allelco Modello di prodotti
32D-DMN2011UFDE-7
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 20V 11.7A 6UDFN
Descrizione dettagliata
Pacchetto
6-PowerUDFN
Scheda dati
DMN2011UFDE.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 124450

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Specifiche

Specifiche tecnologiche DMN2011UFDE-7
Specifiche tecniche Diodes Incorporated - DMN2011UFDE-7, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Diodes Incorporated - DMN2011UFDE-7

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Diodes Incorporated  
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore U-DFN2020-6 (Type E)  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 9.5mOhm @ 7A, 4.5V  
Dissipazione di potenza (max) 610mW (Ta)  
Contenitore / involucro 6-PowerUDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2248 pF @ 10 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 56 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 20 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 11.7A (Ta)  
Numero di prodotto di base DMN2011  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Diodes Incorporated DMN2011UFDE-7

Proprietà del prodotto DMN2011UFDE-7 DMN2005UPS-13 DMN2005LP4K-7 DMN2005LPK-7
Modello di prodotti DMN2011UFDE-7 DMN2005UPS-13 DMN2005LP4K-7 DMN2005LPK-7
fabbricante Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 1.5V, 4V 1.5V, 4V
Serie - - - -
Dissipazione di potenza (max) 610mW (Ta) 1.5W (Ta) 400mW (Ta) 450mW (Ta)
Tensione drain-source (Vdss) 20 V 20 V 20 V 20 V
Contenitore / involucro 6-PowerUDFN 8-PowerTDFN 3-XFDFN 3-UFDFN
Rds On (max) a Id, Vgs 9.5mOhm @ 7A, 4.5V 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V 1.5Ohm @ 10mA, 4V 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V ±12V ±10V ±10V
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA 1.2V @ 250µA 900mV @ 100µA 1.2V @ 100µA
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 11.7A (Ta) 20A (Ta), 100A (Tc) 200mA (Ta) 440mA (Ta)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 56 nC @ 10 V 142 nC @ 10 V - -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2248 pF @ 10 V 5337 pF @ 10 V 41 pF @ 3 V -
Contenitore dispositivo fornitore U-DFN2020-6 (Type E) PowerDI5060-8 X2-DFN1006-3 X1-DFN1006-3
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Caratteristica FET - - - -
Numero di prodotto di base DMN2011 DMN2005 DMN2005 DMN2005

DMN2011UFDE-7 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica DMN2011UFDE-7 PDF e la documentazione Diodes Incorporated per DMN2011UFDE-7 - Diodes Incorporated.

Informazioni ambientali
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev A/T Site 31/Mar/2021.pdf
Schede tecniche
DMN2011UFDE.pdf

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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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