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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciDMN2016LFG-7
Diodes Incorporated
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

DMN2016LFG-7 - Diodes Incorporated

fabbricante Modello di prodotti
DMN2016LFG-7
fabbricante
Diodes Incorporated
Allelco Modello di prodotti
32D-DMN2016LFG-7
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8UDFN
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerUDFN
Scheda dati
DMN2016LFG.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 194000

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Specifiche

Specifiche tecnologiche DMN2016LFG-7
Specifiche tecniche Diodes Incorporated - DMN2016LFG-7, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Diodes Incorporated - DMN2016LFG-7

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Diodes Incorporated  
Vgs (th) (max) a Id 1.1V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore U-DFN3030-8  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 18mOhm @ 6A, 4.5V  
Potenza - Max 770mW  
Contenitore / involucro 8-PowerUDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1472pF @ 10V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 4.5V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 20V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.2A  
Configurazione 2 N-Channel (Dual) Common Drain  
Numero di prodotto di base DMN2016  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Diodes Incorporated DMN2016LFG-7

Proprietà del prodotto DMN2016LFG-7 DMN2013UFX-7 DMN2019UTS-13 DMN2012UCA6-7
Modello di prodotti DMN2016LFG-7 DMN2013UFX-7 DMN2019UTS-13 DMN2012UCA6-7
fabbricante Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Caratteristica FET Logic Level Gate - Logic Level Gate -
Potenza - Max 770mW 2.14W 780mW 820mW
Vgs (th) (max) a Id 1.1V @ 250µA 1.1V @ 250µA 950mV @ 250µA 1.3V @ 1mA
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1472pF @ 10V 2607pF @ 10V 143pF @ 10V 2417pF @ 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.2A 10A (Ta) 5.4A 13A (Ta)
Rds On (max) a Id, Vgs 18mOhm @ 6A, 4.5V 11.5mOhm @ 8.5A, 4.5V 18.5mOhm @ 7A, 10V 9mOhm @ 5A, 4.5V
Numero di prodotto di base DMN2016 DMN2013 DMN2019 DMN2012
Configurazione 2 N-Channel (Dual) Common Drain 2 N-Channel (Dual) Common Drain 2 N-Channel (Dual) Common Drain 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Contenitore / involucro 8-PowerUDFN 6-VFDFN Exposed Pad 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 6-SMD, No Lead
Contenitore dispositivo fornitore U-DFN3030-8 W-DFN5020-6 8-TSSOP X3-DSN2718-6
Tensione drain-source (Vdss) 20V 20V 20V 24V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 4.5V 57.4nC @ 8V 8.8nC @ 4.5V 26nC @ 4V
Serie - Automotive, AEC-Q101 - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

DMN2016LFG-7 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica DMN2016LFG-7 PDF e la documentazione Diodes Incorporated per DMN2016LFG-7 - Diodes Incorporated.

Informazioni ambientali
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Schede tecniche
DMN2016LFG.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev Assembly Chgs 15/May/2019.pdf

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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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