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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciFDG6320C
FDG6320C Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FDG6320C - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FDG6320C
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FDG6320C
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N/P-CH 25V 220/140MA SC88
Descrizione dettagliata
Pacchetto
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Scheda dati
FDG6320C.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 5450

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FDG6320C
Specifiche tecniche onsemi - FDG6320C, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FDG6320C

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SC-88 (SC-70-6)  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 4Ohm @ 220mA, 4.5V  
Potenza - Max 300mW  
Contenitore / involucro 6-TSSOP, SC-88, SOT-363  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 9.5pF @ 10V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 0.4nC @ 4.5V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 25V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 220mA, 140mA  
Configurazione N and P-Channel  
Numero di prodotto di base FDG6320  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FDG6320C

Proprietà del prodotto FDG6320C FDG6321C FDG6317NZ FDG6318PZ
Modello di prodotti FDG6320C FDG6321C FDG6317NZ FDG6318PZ
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Configurazione N and P-Channel N and P-Channel 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Rds On (max) a Id, Vgs 4Ohm @ 220mA, 4.5V 450mOhm @ 500mA, 4.5V 400mOhm @ 700mA, 4.5V 780mOhm @ 500mA, 4.5V
Contenitore dispositivo fornitore SC-88 (SC-70-6) SC-88 (SC-70-6) SC-88 (SC-70-6) SC-88 (SC-70-6)
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 220mA, 140mA 500mA, 410mA 700mA 500mA
Tensione drain-source (Vdss) 25V 25V 20V 20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 9.5pF @ 10V 50pF @ 10V 66.5pF @ 10V 85.4pF @ 10V
Contenitore / involucro 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Numero di prodotto di base FDG6320 FDG6321 FDG6317 FDG6318
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 0.4nC @ 4.5V 2.3nC @ 4.5V 1.1nC @ 4.5V 1.62nC @ 4.5V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Potenza - Max 300mW 300mW 300mW 300mW
Serie - - PowerTrench® -

FDG6320C Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FDG6320C PDF e la documentazione onsemi per FDG6320C - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Logo 17/Aug/2017.pdf Mold Compound 12/Dec/2007.pdf
Packaging PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Binary Year Code Marking 15/Jan/2014.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Mult Dev EOL 08/Jul/2021.pdf Mult Dev EOL 24/Dec/2021.pdf Mult Dev EOL 14/Jan/2022.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev Assembly/Test 9/Jan/2019.pdf
Schede tecniche
FDG6320C.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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