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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloDMG8880LSS-13
Diodes Incorporated
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

DMG8880LSS-13 - Diodes Incorporated

fabbricante Modello di prodotti
DMG8880LSS-13
fabbricante
Diodes Incorporated
Allelco Modello di prodotti
32D-DMG8880LSS-13
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
DMG8880LSS.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4330

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche DMG8880LSS-13
Specifiche tecniche Diodes Incorporated - DMG8880LSS-13, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Diodes Incorporated - DMG8880LSS-13

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Diodes Incorporated  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 10mOhm @ 11.6A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 1.43W (Ta)  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1289 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 27.6 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 11.6A (Ta)  
Numero di prodotto di base DMG8880  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Diodes Incorporated DMG8880LSS-13

Proprietà del prodotto DMG8880LSS-13 DMG7430LFG-7 DMG8880LK3-13 DMG7702SFG-13
Modello di prodotti DMG8880LSS-13 DMG7430LFG-7 DMG8880LK3-13 DMG7702SFG-13
fabbricante Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Dissipazione di potenza (max) 1.43W (Ta) 900mW (Ta) 1.68W (Ta) 890mW (Ta)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1289 pF @ 15 V 1281 pF @ 15 V 1289 pF @ 15 V 4310 pF @ 15 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.3V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Serie - - - -
Numero di prodotto di base DMG8880 DMG7430 DMG8880 DMG7702
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Caratteristica FET - - - Schottky Diode (Body)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 11.6A (Ta) 10.5A (Ta) 11A (Ta) 12A (Ta)
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-PowerVDFN TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 8-PowerVDFN
Rds On (max) a Id, Vgs 10mOhm @ 11.6A, 10V 11mOhm @ 20A, 10V 7.5mOhm @ 11.6A, 10V 10mOhm @ 13.5A, 10V
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO PowerDI3333-8 TO-252, (D-Pak) PowerDI3333-8
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 27.6 nC @ 10 V 26.7 nC @ 10 V 27.6 nC @ 10 V 14.7 nC @ 10 V

DMG8880LSS-13 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica DMG8880LSS-13 PDF e la documentazione Diodes Incorporated per DMG8880LSS-13 - Diodes Incorporated.

Informazioni ambientali
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN Altro
Multiple Device Changes 29/Apr/2013.pdf
PCN Design/Specifica
Bond Wire 11/Nov/2011.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Select Discrete Devices 20/Feb/2014.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev Wafer Fab Add 8/Aug/2012.pdf
Schede tecniche
DMG8880LSS.pdf

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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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