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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciDMG8601UFG-7
Diodes Incorporated
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

DMG8601UFG-7 - Diodes Incorporated

fabbricante Modello di prodotti
DMG8601UFG-7
fabbricante
Diodes Incorporated
Allelco Modello di prodotti
32D-DMG8601UFG-7
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerUDFN
Scheda dati
DMG8601UFG.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 174750

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Specifiche

Specifiche tecnologiche DMG8601UFG-7
Specifiche tecniche Diodes Incorporated - DMG8601UFG-7, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Diodes Incorporated - DMG8601UFG-7

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Diodes Incorporated  
Vgs (th) (max) a Id 1.05V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore U-DFN3030-8  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 23mOhm @ 6.5A, 4.5V  
Potenza - Max 920mW  
Contenitore / involucro 8-PowerUDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 143pF @ 10V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 8.8nC @ 4.5V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 20V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6.1A  
Configurazione 2 N-Channel (Dual) Common Drain  
Numero di prodotto di base DMG8601  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Diodes Incorporated DMG8601UFG-7

Proprietà del prodotto DMG8601UFG-7 DMG8822UTS-13 DMG8880LK3 DMG8880LSS-13
Modello di prodotti DMG8601UFG-7 DMG8822UTS-13 DMG8880LK3 DMG8880LSS-13
fabbricante Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 143pF @ 10V 841pF @ 10V - 1289 pF @ 15 V
Serie - Automotive, AEC-Q101 - -
Rds On (max) a Id, Vgs 23mOhm @ 6.5A, 4.5V 25mOhm @ 8.2A, 4.5V - 10mOhm @ 11.6A, 10V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount - Surface Mount
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6.1A 4.9A (Ta) - 11.6A (Ta)
Caratteristica FET Logic Level Gate - - -
Contenitore dispositivo fornitore U-DFN3030-8 8-TSSOP - 8-SO
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 8.8nC @ 4.5V 9.6nC @ 4.5V - 27.6 nC @ 10 V
Configurazione 2 N-Channel (Dual) Common Drain 2 N-Channel (Dual) Common Drain - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (max) a Id 1.05V @ 250µA 900mV @ 250µA - 2V @ 250µA
Potenza - Max 920mW 870mW - -
Numero di prodotto di base DMG8601 DMG8822 - DMG8880
Tensione drain-source (Vdss) 20V 20V - 30 V
Contenitore / involucro 8-PowerUDFN 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

DMG8601UFG-7 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica DMG8601UFG-7 PDF e la documentazione Diodes Incorporated per DMG8601UFG-7 - Diodes Incorporated.

Informazioni ambientali
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN Design/Specifica
Bond Wire 11/Nov/2011.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev Wafer Chgs 4/Oct/2019.pdf
Schede tecniche
DMG8601UFG.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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