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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloDMG7702SFG-13
Diodes Incorporated
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

DMG7702SFG-13 - Diodes Incorporated

fabbricante Modello di prodotti
DMG7702SFG-13
fabbricante
Diodes Incorporated
Allelco Modello di prodotti
32D-DMG7702SFG-13
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 12A POWERDI3333
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerVDFN
Scheda dati
DMG7702SFG.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4570

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche DMG7702SFG-13
Specifiche tecniche Diodes Incorporated - DMG7702SFG-13, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Diodes Incorporated - DMG7702SFG-13

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Diodes Incorporated  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PowerDI3333-8  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 10mOhm @ 13.5A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 890mW (Ta)  
Contenitore / involucro 8-PowerVDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4310 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 14.7 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET Schottky Diode (Body)  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 12A (Ta)  
Numero di prodotto di base DMG7702  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Diodes Incorporated DMG7702SFG-13

Proprietà del prodotto DMG7702SFG-13 DMG7401SFG-13 DMG8880LSS-13 DMG8880LK3-13
Modello di prodotti DMG7702SFG-13 DMG7401SFG-13 DMG8880LSS-13 DMG8880LK3-13
fabbricante Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Caratteristica FET Schottky Diode (Body) - - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4310 pF @ 15 V 2987 pF @ 15 V 1289 pF @ 15 V 1289 pF @ 15 V
Contenitore dispositivo fornitore PowerDI3333-8 PowerDI3333-8 8-SO TO-252, (D-Pak)
Rds On (max) a Id, Vgs 10mOhm @ 13.5A, 10V 11mOhm @ 12A, 20V 10mOhm @ 11.6A, 10V 7.5mOhm @ 11.6A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Dissipazione di potenza (max) 890mW (Ta) 940mW (Ta) 1.43W (Ta) 1.68W (Ta)
Vgs (Max) ±20V ±25V ±20V ±20V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 20V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Serie - - - -
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Numero di prodotto di base DMG7702 DMG7401 DMG8880 DMG8880
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 12A (Ta) 9.8A (Ta) 11.6A (Ta) 11A (Ta)
Contenitore / involucro 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 14.7 nC @ 10 V 58 nC @ 10 V 27.6 nC @ 10 V 27.6 nC @ 10 V
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA 3V @ 250µA 2V @ 250µA 2.3V @ 250µA
Tipo FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel

DMG7702SFG-13 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica DMG7702SFG-13 PDF e la documentazione Diodes Incorporated per DMG7702SFG-13 - Diodes Incorporated.

Informazioni ambientali
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Mult Devices EOL 05/Feb/2019.pdf Mult Dev Reinstate 5/Feb/2019.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev Assembly Chgs 29/May/2020.pdf
Schede tecniche
DMG7702SFG.pdf

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