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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciDMC1229UFDB-7
DMC1229UFDB-7 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

DMC1229UFDB-7 - Diodes Incorporated

fabbricante Modello di prodotti
DMC1229UFDB-7
fabbricante
Diodes Incorporated
Allelco Modello di prodotti
32D-DMC1229UFDB-7
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N/P-CH 12V U-DFN2020-6
Descrizione dettagliata
Pacchetto
6-UDFN Exposed Pad
Scheda dati
DMC1229UFDB.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 193600

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche DMC1229UFDB-7
Specifiche tecniche Diodes Incorporated - DMC1229UFDB-7, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Diodes Incorporated - DMC1229UFDB-7

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Diodes Incorporated  
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA  
Tecnologia -  
Contenitore dispositivo fornitore U-DFN2020-6 (Type B)  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Rds On (max) a Id, Vgs 29mOhm @ 5A, 4.5V  
Potenza - Max 1.4W  
Contenitore / involucro 6-UDFN Exposed Pad  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 914pF @ 6V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 19.6nC @ 8V  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 12V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.6A, 3.8A  
Configurazione N and P-Channel  
Numero di prodotto di base DMC1229  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Diodes Incorporated DMC1229UFDB-7

Proprietà del prodotto DMC1229UFDB-7 DMC1229UFDB-13 DMC2004DWK-7 DMC2020USD-13
Modello di prodotti DMC1229UFDB-7 DMC1229UFDB-13 DMC2004DWK-7 DMC2020USD-13
fabbricante Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Tecnologia - MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.6A, 3.8A 5.6A, 3.8A 540mA, 430mA 7.8A, 6.3A
Tensione drain-source (Vdss) 12V 12V 20V 20V
Configurazione N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel
Caratteristica FET - Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Serie Automotive, AEC-Q101 - - -
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro 6-UDFN Exposed Pad 6-UDFN Exposed Pad 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 19.6nC @ 8V 19.6nC @ 8V - 11.6nC @ 4.5V
Rds On (max) a Id, Vgs 29mOhm @ 5A, 4.5V 29mOhm @ 5A, 4.5V 550mOhm @ 540mA, 4.5V 20mOhm @ 7A, 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 914pF @ 6V 914pF @ 6V 150pF @ 16V 1149pF @ 10V
Numero di prodotto di base DMC1229 DMC1229 DMC2004 DMC2020
Potenza - Max 1.4W 1.4W 250mW 1.8W
Contenitore dispositivo fornitore U-DFN2020-6 (Type B) U-DFN2020-6 (Type B) SOT-363 8-SO
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

DMC1229UFDB-7 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica DMC1229UFDB-7 PDF e la documentazione Diodes Incorporated per DMC1229UFDB-7 - Diodes Incorporated.

Informazioni ambientali
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev Assembly Add 7/Dec/2018.pdf
Schede tecniche
DMC1229UFDB.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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