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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciDMC1018UPD-13
Diodes Incorporated
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

DMC1018UPD-13 - Diodes Incorporated

fabbricante Modello di prodotti
DMC1018UPD-13
fabbricante
Diodes Incorporated
Allelco Modello di prodotti
32D-DMC1018UPD-13
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N/P-CH 12V POWERDI5060
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerTDFN
Scheda dati
DMC1018UPD.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 5390

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche DMC1018UPD-13
Specifiche tecniche Diodes Incorporated - DMC1018UPD-13, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Diodes Incorporated - DMC1018UPD-13

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Diodes Incorporated  
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PowerDI5060-8  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Rds On (max) a Id, Vgs 17mOhm @ 11.8A, 4.5V  
Potenza - Max 2.3W  
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1525pF @ 6V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 30.4nC @ 8V  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 12V, 20V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 9.5A, 6.9A  
Configurazione N and P-Channel  
Numero di prodotto di base DMC1018  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Diodes Incorporated DMC1018UPD-13

Proprietà del prodotto DMC1018UPD-13 DMC1015UPD-13 DMC1029UFDB-7 DMC2020USD-13
Modello di prodotti DMC1018UPD-13 DMC1015UPD-13 DMC1029UFDB-7 DMC2020USD-13
fabbricante Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1525pF @ 6V 1495pF @ 6V 914pF @ 6V 1149pF @ 10V
Tensione drain-source (Vdss) 12V, 20V 12V 12V 20V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 9.5A, 6.9A 9.5A, 6.9A 5.6A, 3.8A 7.8A, 6.3A
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 30.4nC @ 8V 15.6nC @ 4.5V 19.6nC @ 8V 11.6nC @ 4.5V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Rds On (max) a Id, Vgs 17mOhm @ 11.8A, 4.5V 17mOhm @ 11.8A, 4.5V 29mOhm @ 5A, 4.5V 20mOhm @ 7A, 4.5V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numero di prodotto di base DMC1018 DMC1015 DMC1029 DMC2020
Configurazione N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel
Serie Automotive, AEC-Q101 - - -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Contenitore dispositivo fornitore PowerDI5060-8 PowerDI5060-8 U-DFN2020-6 (Type B) 8-SO
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 6-UDFN Exposed Pad 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Caratteristica FET - - - Logic Level Gate
Potenza - Max 2.3W 2.3W 1.4W 1.8W

DMC1018UPD-13 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica DMC1018UPD-13 PDF e la documentazione Diodes Incorporated per DMC1018UPD-13 - Diodes Incorporated.

Informazioni ambientali
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev A/T Site 31/Mar/2021.pdf
Schede tecniche
DMC1018UPD.pdf

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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
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