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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matrici2N7002DW-7-F
2N7002DW-7-F Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

2N7002DW-7-F - Diodes Incorporated

fabbricante Modello di prodotti
2N7002DW-7-F
fabbricante
Diodes Incorporated
Allelco Modello di prodotti
32D-2N7002DW-7-F
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT-363
Descrizione dettagliata
Pacchetto
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Scheda dati
2N7002DW Datasheet.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 529500

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche 2N7002DW-7-F
Specifiche tecniche Diodes Incorporated - 2N7002DW-7-F, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Diodes Incorporated - 2N7002DW-7-F

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Diodes Incorporated  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-363  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 7.5Ohm @ 50mA, 5V  
Potenza - Max 310mW  
Contenitore / involucro 6-TSSOP, SC-88, SOT-363  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 25V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs -  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 60V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 230mA  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base 2N7002  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Diodes Incorporated 2N7002DW-7-F

Proprietà del prodotto 2N7002DW-7-F 2N7002DW-7-G 2N7002DWAQ-7 2N7002DW-7
Modello di prodotti 2N7002DW-7-F 2N7002DW-7-G 2N7002DWAQ-7 2N7002DW-7
fabbricante Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Rds On (max) a Id, Vgs 7.5Ohm @ 50mA, 5V - 6Ohm @ 115mA, 10V 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Tensione drain-source (Vdss) 60V - 60V 60V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Contenitore dispositivo fornitore SOT-363 - SOT-363 SOT-363
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA - 2.5V @ 250µA 2V @ 250µA
Contenitore / involucro 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 - 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs - - 0.87nC @ 10V -
Serie - * - -
Configurazione 2 N-Channel (Dual) - - 2 N-Channel (Dual)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) - - MOSFET (Metal Oxide)
Potenza - Max 310mW - 300mW 310mW
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 25V - 22pF @ 25V 50pF @ 25V
Tipo montaggio Surface Mount - Surface Mount Surface Mount
Numero di prodotto di base 2N7002 2N7002 - 2N7002
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 230mA - 180mA (Ta) 230mA
Caratteristica FET - - Standard -

2N7002DW-7-F Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica 2N7002DW-7-F PDF e la documentazione Diodes Incorporated per 2N7002DW-7-F - Diodes Incorporated.

Informazioni ambientali
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN Altro
Multiple Device Changes 29/Apr/2013.pdf
PCN Design/Specifica
Bond Wire 16/Sept/2008.pdf Green Encapsulate Change 09/July/2007.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Assembly REV 07/Sep/2021.pdf
Schede tecniche
2N7002DW Datasheet.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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