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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matrici2N7002DWH6327XTSA1
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

2N7002DWH6327XTSA1 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
2N7002DWH6327XTSA1
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-2N7002DWH6327XTSA1
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Descrizione dettagliata
Pacchetto
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Scheda dati
2N7002DWH6327XTSA1.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 441810

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Specifiche

Specifiche tecnologiche 2N7002DWH6327XTSA1
Specifiche tecniche Infineon Technologies - 2N7002DWH6327XTSA1, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - 2N7002DWH6327XTSA1

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-SOT363-PO  
Serie OptiMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 3Ohm @ 500mA, 10V  
Potenza - Max 500mW  
Contenitore / involucro 6-VSSOP, SC-88, SOT-363  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 20pF @ 25V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 0.6nC @ 10V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 60V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 300mA  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base 2N7002  

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Proprietà del prodotto 2N7002DWH6327XTSA1 2N7002DW-7-G 2N7002DWAQ-7 2N7002DWS-7
Modello di prodotti 2N7002DWH6327XTSA1 2N7002DW-7-G 2N7002DWAQ-7 2N7002DWS-7
fabbricante Infineon Technologies Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) - - MOSFET (Metal Oxide)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 0.6nC @ 10V - 0.87nC @ 10V 0.4nC @ 4.5V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 300mA - 180mA (Ta) 247mA (Ta)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 20pF @ 25V - 22pF @ 25V 41pF @ 25V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)
Tipo montaggio Surface Mount - Surface Mount Surface Mount
Serie OptiMOS™ * - -
Configurazione 2 N-Channel (Dual) - - 2 N-Channel (Dual)
Potenza - Max 500mW - 300mW 290mW (Ta)
Tensione drain-source (Vdss) 60V - 60V 60V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Contenitore / involucro 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 - 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Numero di prodotto di base 2N7002 2N7002 - 2N7002
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA - 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Rds On (max) a Id, Vgs 3Ohm @ 500mA, 10V - 6Ohm @ 115mA, 10V 4Ohm @ 500mA, 10V
Caratteristica FET Logic Level Gate - Standard -
Contenitore dispositivo fornitore PG-SOT363-PO - SOT-363 SOT-363

2N7002DWH6327XTSA1 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica 2N7002DWH6327XTSA1 PDF e la documentazione Infineon Technologies per 2N7002DWH6327XTSA1 - Infineon Technologies.

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