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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRS2011PBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRS2011PBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRS2011PBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-DIP (0.300', 7.62mm)
Scheda dati
IRS2011PBF Datasheet.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 24761

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRS2011PBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRS2011PBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRS2011PBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Tensione di alimentazione - 10V ~ 20V  
Contenitore dispositivo fornitore 8-PDIP  
Serie -  
Tempo di salita / scadenza (Typ) 25ns, 15ns  
Contenitore / involucro 8-DIP (0.300', 7.62mm)  
Pacchetto Tube  
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)  
Frequenza di ingresso 2  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Through Hole  
Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2.7V  
Tipo di ingresso Inverting  
Tensione lato alta corrente - Max (bootstrap) 200 V  
Tipo di porta N-Channel MOSFET  
Configurazione guidata Half-Bridge  
Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore) 1A, 1A  
Base-Emitter Tensione di saturazione (max) Independent  
Numero di prodotto di base IRS2011  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRS2011PBF

Proprietà del prodotto IRS2011PBF IRS2005STRPBF IRS2004SPBF IRS2005MTRPBF
Modello di prodotti IRS2011PBF IRS2005STRPBF IRS2004SPBF IRS2005MTRPBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2.7V 0.8V, 2.5V 0.8V, 2.5V 0.8V, 2.5V
Tipo di ingresso Inverting Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting
Contenitore dispositivo fornitore 8-PDIP 8-SOIC 8-SOIC 14-MLPQ (4x4)
Frequenza di ingresso 2 2 2 2
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di porta N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Tipo montaggio Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tensione lato alta corrente - Max (bootstrap) 200 V 200 V 200 V 200 V
Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore) 1A, 1A 290mA, 600mA 290mA, 600mA 290mA, 600mA
Tensione di alimentazione - 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V
Contenitore / involucro 8-DIP (0.300', 7.62mm) 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) 14-VFQFN Exposed Pad
Base-Emitter Tensione di saturazione (max) Independent Independent Synchronous Independent
Serie - - - -
Pacchetto Tube Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Numero di prodotto di base IRS2011 IRS2005 IRS2004 IRS2005
Tempo di salita / scadenza (Typ) 25ns, 15ns 70ns, 30ns 70ns, 35ns 70ns, 30ns
Configurazione guidata Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge

IRS2011PBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRS2011PBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRS2011PBF - Infineon Technologies.

Altri documenti correlati
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IRS2011PBF Datasheet.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
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Asia India 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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