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CasaCentro di prodottiCircuiti integrati (ICS)PMIC-Gate driverIRS2005STRPBF
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IRS2005STRPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRS2005STRPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRS2005STRPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154', 3.90mm Width)
Scheda dati
Cylindrical Battery Holders.pdf
IRS2005(S,M)PBF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 58110

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRS2005STRPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRS2005STRPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRS2005STRPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Tensione di alimentazione - 10V ~ 20V  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC  
Serie -  
Tempo di salita / scadenza (Typ) 70ns, 30ns  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)  
Frequenza di ingresso 2  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Surface Mount  
Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2.5V  
Tipo di ingresso Non-Inverting  
Tensione lato alta corrente - Max (bootstrap) 200 V  
Tipo di porta IGBT, N-Channel MOSFET  
Configurazione guidata Half-Bridge  
Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore) 290mA, 600mA  
Base-Emitter Tensione di saturazione (max) Independent  
Numero di prodotto di base IRS2005  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRS2005STRPBF

Proprietà del prodotto IRS2005STRPBF IRS2011PBF IRS2008STRPBF IRS2011STRPBF
Modello di prodotti IRS2005STRPBF IRS2011PBF IRS2008STRPBF IRS2011STRPBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tensione lato alta corrente - Max (bootstrap) 200 V 200 V 200 V 200 V
Configurazione guidata Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge
Serie - - - -
Base-Emitter Tensione di saturazione (max) Independent Independent Synchronous Independent
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) 8-DIP (0.300', 7.62mm) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore) 290mA, 600mA 1A, 1A 290mA, 600mA 1A, 1A
Numero di prodotto di base IRS2005 IRS2011 IRS2008 IRS2011
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di ingresso Non-Inverting Inverting Non-Inverting Inverting
Tempo di salita / scadenza (Typ) 70ns, 30ns 25ns, 15ns 70ns, 30ns 25ns, 15ns
Frequenza di ingresso 2 2 2 2
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC 8-PDIP 8-SOIC 8-SOIC
Tipo di porta IGBT, N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Tipo montaggio Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount
Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2.5V 0.8V, 2.7V 0.8V, 2.5V 0.7V, 2.5V
Tensione di alimentazione - 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V

IRS2005STRPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRS2005STRPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRS2005STRPBF - Infineon Technologies.

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Foglio dati HTML
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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