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CasaCentro di prodottiCircuiti integrati (ICS)PMIC-Gate driverIRS2008SPBF
IRS2008SPBF Image
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IRS2008SPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRS2008SPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRS2008SPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
IRS2008SPBF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 51210

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRS2008SPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRS2008SPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRS2008SPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Tensione di alimentazione - 10V ~ 20V  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC  
Serie -  
Tempo di salita / scadenza (Typ) 70ns, 30ns  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tube  
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)  
Frequenza di ingresso 2  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Surface Mount  
Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2.5V  
Tipo di ingresso Non-Inverting  
Tensione lato alta corrente - Max (bootstrap) 200 V  
Tipo di porta N-Channel MOSFET  
Configurazione guidata Half-Bridge  
Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore) 290mA, 600mA  
Base-Emitter Tensione di saturazione (max) Synchronous  
Numero di prodotto di base IRS2008  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRS2008SPBF

Proprietà del prodotto IRS2008SPBF IRS2005STRPBF IRS2008STRPBF IRS2005MTRPBF
Modello di prodotti IRS2008SPBF IRS2005STRPBF IRS2008STRPBF IRS2005MTRPBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tensione lato alta corrente - Max (bootstrap) 200 V 200 V 200 V 200 V
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 14-VFQFN Exposed Pad
Serie - - - -
Frequenza di ingresso 2 2 2 2
Tempo di salita / scadenza (Typ) 70ns, 30ns 70ns, 30ns 70ns, 30ns 70ns, 30ns
Pacchetto Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Configurazione guidata Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge
Tipo di porta N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore) 290mA, 600mA 290mA, 600mA 290mA, 600mA 290mA, 600mA
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 14-MLPQ (4x4)
Numero di prodotto di base IRS2008 IRS2005 IRS2008 IRS2005
Base-Emitter Tensione di saturazione (max) Synchronous Independent Synchronous Independent
Tipo di ingresso Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting
Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2.5V 0.8V, 2.5V 0.8V, 2.5V 0.8V, 2.5V
Tensione di alimentazione - 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

IRS2008SPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRS2008SPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRS2008SPBF - Infineon Technologies.

PCN Design/Specifica
Mult Dev Label Chgs Aug/2020.pdf Mult Dev Lot Chgs 25/May/2021.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev Process Chg 1/Sep/2021.pdf
Packaging PCN
Mult Dev Tube Pkg Std 27/Dec/2018.pdf
Foglio dati HTML
IRS2008SPBF.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Mult Dev EOL 9/Mar/2023.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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