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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRLI2203N
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRLI2203N - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRLI2203N
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRLI2203N
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 61A TO220AB FP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3 Full Pack
Scheda dati
IRLI2203N.pdf
In magazzino: 3770

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRLI2203N
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRLI2203N, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRLI2203N

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO220-FP  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 7mOhm @ 37A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 47W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3500 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 61A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRLI2203N

Proprietà del prodotto IRLI2203N IRLI2505 IRLI2910PBF IRLHS6342TRPBF
Modello di prodotti IRLI2203N IRLI2505 IRLI2910PBF IRLHS6342TRPBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 61A (Tc) 58A (Tc) 31A (Tc) 8.7A (Ta), 19A (Tc)
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4V, 10V 4V, 10V 2.5V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 55 V 100 V 30 V
Vgs (Max) ±16V ±16V ±16V ±12V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 4.5 V 130 nC @ 5 V 140 nC @ 5 V 11 nC @ 4.5 V
Pacchetto Tube Tube Tube Tape & Reel (TR)
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO220-FP PG-TO220-FP TO-220AB Full-Pak 6-PQFN (2x2)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Dissipazione di potenza (max) 47W (Tc) 63W (Tc) 63W (Tc) 2.1W (Ta)
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 1.1V @ 10µA
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Surface Mount
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3500 pF @ 25 V 5000 pF @ 25 V 3700 pF @ 25 V 1019 pF @ 25 V
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack 6-PowerVDFN
Rds On (max) a Id, Vgs 7mOhm @ 37A, 10V 8mOhm @ 31A, 10V 26mOhm @ 16A, 10V 15.5mOhm @ 8.5A, 4.5V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Caratteristica FET - - - -

IRLI2203N Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRLI2203N PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRLI2203N - Infineon Technologies.

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IRLI2203N.pdf

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Europa Germania 5
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Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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