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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciIRLHS6276TRPBF
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRLHS6276TRPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRLHS6276TRPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRLHS6276TRPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PQFN
Descrizione dettagliata
Pacchetto
6-VQFN
Scheda dati
IRLHS6276TRPBF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 107210

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRLHS6276TRPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRLHS6276TRPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRLHS6276TRPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 1.1V @ 10µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 6-PQFN (2x2)  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 45mOhm @ 3.4A, 4.5V  
Potenza - Max 1.5W  
Contenitore / involucro 6-VQFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 310pF @ 10V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 3.1nC @ 4.5V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 20V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4.5A  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base IRLHS6276  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRLHS6276TRPBF

Proprietà del prodotto IRLHS6276TRPBF IRLHS6376TRPBF IRLHS6276TR2PBF IRLI2203N
Modello di prodotti IRLHS6276TRPBF IRLHS6376TRPBF IRLHS6276TR2PBF IRLI2203N
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4.5A 3.6A 4.5A 61A (Tc)
Rds On (max) a Id, Vgs 45mOhm @ 3.4A, 4.5V 63mOhm @ 3.4A, 4.5V 45mOhm @ 3.4A, 4.5V 7mOhm @ 37A, 10V
Contenitore dispositivo fornitore 6-PQFN (2x2) 6-PQFN (2x2) 6-PQFN Dual (2x2) PG-TO220-FP
Tensione drain-source (Vdss) 20V 30V 20V 30 V
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) -
Serie HEXFET® HEXFET® - HEXFET®
Contenitore / involucro 6-VQFN 6-VDFN Exposed Pad 6-PowerVDFN TO-220-3 Full Pack
Potenza - Max 1.5W 1.5W 1.5W -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (th) (max) a Id 1.1V @ 10µA 1.1V @ 10µA 1.1V @ 10µA 1V @ 250µA
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tube
Numero di prodotto di base IRLHS6276 IRLHS6376 IRLHS6276 -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 3.1nC @ 4.5V 2.8nC @ 4.5V 3.1nC @ 4.5V 110 nC @ 4.5 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 310pF @ 10V 270pF @ 25V 310pF @ 10V 3500 pF @ 25 V
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

IRLHS6276TRPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRLHS6276TRPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRLHS6276TRPBF - Infineon Technologies.

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