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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciIRLHS6376TRPBF
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRLHS6376TRPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRLHS6376TRPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRLHS6376TRPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 30V 3.6A 6PQFN
Descrizione dettagliata
Pacchetto
6-VDFN Exposed Pad
Scheda dati
IRLHS6376TRPBF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 188800

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRLHS6376TRPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRLHS6376TRPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRLHS6376TRPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 1.1V @ 10µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 6-PQFN (2x2)  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 63mOhm @ 3.4A, 4.5V  
Potenza - Max 1.5W  
Contenitore / involucro 6-VDFN Exposed Pad  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 270pF @ 25V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 2.8nC @ 4.5V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 30V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.6A  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base IRLHS6376  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRLHS6376TRPBF

Proprietà del prodotto IRLHS6376TRPBF IRLHS6276TRPBF IRLHS6276TR2PBF IRLI2910
Modello di prodotti IRLHS6376TRPBF IRLHS6276TRPBF IRLHS6276TR2PBF IRLI2910
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Vgs (th) (max) a Id 1.1V @ 10µA 1.1V @ 10µA 1.1V @ 10µA 2V @ 250µA
Contenitore / involucro 6-VDFN Exposed Pad 6-VQFN 6-PowerVDFN TO-220-3 Full Pack
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tube
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.6A 4.5A 4.5A 31A (Tc)
Numero di prodotto di base IRLHS6376 IRLHS6276 IRLHS6276 -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate -
Potenza - Max 1.5W 1.5W 1.5W -
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) -
Tensione drain-source (Vdss) 30V 20V 20V 100 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore 6-PQFN (2x2) 6-PQFN (2x2) 6-PQFN Dual (2x2) TO-220AB Full-Pak
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 175°C (TJ)
Serie HEXFET® HEXFET® - HEXFET®
Rds On (max) a Id, Vgs 63mOhm @ 3.4A, 4.5V 45mOhm @ 3.4A, 4.5V 45mOhm @ 3.4A, 4.5V 26mOhm @ 16A, 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 270pF @ 25V 310pF @ 10V 310pF @ 10V 3700 pF @ 25 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 2.8nC @ 4.5V 3.1nC @ 4.5V 3.1nC @ 4.5V 140 nC @ 5 V

IRLHS6376TRPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRLHS6376TRPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRLHS6376TRPBF - Infineon Technologies.

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