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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRFSL4615PBF
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRFSL4615PBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRFSL4615PBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRFSL4615PBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 150V 33A TO262
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Scheda dati
IRFSL4615PBF.pdf
In magazzino: 4840

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRFSL4615PBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRFSL4615PBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRFSL4615PBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-262  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 42mOhm @ 21A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 144W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1750 pF @ 50 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 150 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 33A (Tc)  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRFSL4615PBF

Proprietà del prodotto IRFSL4615PBF IRFSL7437PBF IRFSL9N60APBF IRFSL4410
Modello di prodotti IRFSL4615PBF IRFSL7437PBF IRFSL9N60APBF IRFSL4410
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Vishay Siliconix Infineon Technologies
Rds On (max) a Id, Vgs 42mOhm @ 21A, 10V 1.8mOhm @ 100A, 10V 750mOhm @ 5.5A, 10V 10mOhm @ 58A, 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V 225 nC @ 10 V 49 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V
Contenitore dispositivo fornitore TO-262 TO-262 I2PAK TO-262
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Contenitore / involucro TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1750 pF @ 50 V 7330 pF @ 25 V 1400 pF @ 25 V 5150 pF @ 50 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 33A (Tc) 195A (Tc) 9.2A (Tc) 96A (Tc)
Dissipazione di potenza (max) 144W (Tc) 230W (Tc) 170W (Tc) 250W (Tc)
Caratteristica FET - - - -
Tensione drain-source (Vdss) 150 V 40 V 600 V 100 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 6V, 10V 10V 10V
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie HEXFET® HEXFET®, StrongIRFET™ - HEXFET®
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 100µA 3.9V @ 150µA 4V @ 250µA 4V @ 150µA
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole

IRFSL4615PBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRFSL4615PBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRFSL4615PBF - Infineon Technologies.

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