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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRFSL4410ZPBF
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRFSL4410ZPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRFSL4410ZPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRFSL4410ZPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 97A TO262
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Scheda dati
IRFSL4410ZPBF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 24675

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRFSL4410ZPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRFSL4410ZPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRFSL4410ZPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 150µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-262  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 9mOhm @ 58A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 230W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4820 pF @ 50 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 120 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 97A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRFSL4410  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRFSL4410ZPBF

Proprietà del prodotto IRFSL4410ZPBF IRFSL4610PBF IRFSL7434PBF IRFSL5615PBF
Modello di prodotti IRFSL4410ZPBF IRFSL4610PBF IRFSL7434PBF IRFSL5615PBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Rds On (max) a Id, Vgs 9mOhm @ 58A, 10V 14mOhm @ 44A, 10V 1.6mOhm @ 100A, 10V 42mOhm @ 21A, 10V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Caratteristica FET - - - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 6V, 10V 10V
Pacchetto Tube Tube Bulk Tube
Contenitore dispositivo fornitore TO-262 TO-262 TO-262 TO-262
Dissipazione di potenza (max) 230W (Tc) 190W (Tc) 294W (Tc) 144W (Tc)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET®, StrongIRFET™ -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 97A (Tc) 73A (Tc) 195A (Tc) 33A (Tc)
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 100 V 40 V 150 V
Contenitore / involucro TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Numero di prodotto di base IRFSL4410 - - IRFSL5615
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 150µA 4V @ 100µA 3.9V @ 250µA 5V @ 100µA
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 120 nC @ 10 V 140 nC @ 10 V 324 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4820 pF @ 50 V 3550 pF @ 50 V 10820 pF @ 25 V 1750 pF @ 50 V

IRFSL4410ZPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRFSL4410ZPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRFSL4410ZPBF - Infineon Technologies.

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