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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRFSL4321PBF
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRFSL4321PBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRFSL4321PBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRFSL4321PBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 150V 85A TO262
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Scheda dati
IRFSL4321PBF.pdf
In magazzino: 5000

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRFSL4321PBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRFSL4321PBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRFSL4321PBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-262  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 15mOhm @ 33A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 350W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4460 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 150 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 85A (Tc)  

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Proprietà del prodotto IRFSL4321PBF IRFSL7437PBF IRFSL4310ZPBF IRFSL7434PBF
Modello di prodotti IRFSL4321PBF IRFSL7437PBF IRFSL4310ZPBF IRFSL7434PBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier International Rectifier
Dissipazione di potenza (max) 350W (Tc) 230W (Tc) 250W (Tc) 294W (Tc)
Rds On (max) a Id, Vgs 15mOhm @ 33A, 10V 1.8mOhm @ 100A, 10V 6mOhm @ 75A, 10V 1.6mOhm @ 100A, 10V
Contenitore dispositivo fornitore TO-262 TO-262 TO-262 TO-262
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 6V, 10V 10V 6V, 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V 225 nC @ 10 V 170 nC @ 10 V 324 nC @ 10 V
Tensione drain-source (Vdss) 150 V 40 V 100 V 40 V
Contenitore / involucro TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4460 pF @ 25 V 7330 pF @ 25 V 6860 pF @ 50 V 10820 pF @ 25 V
Caratteristica FET - - - -
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA 3.9V @ 150µA 4V @ 150µA 3.9V @ 250µA
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Pacchetto Tube Tube Bulk Bulk
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±20V
Serie HEXFET® HEXFET®, StrongIRFET™ HEXFET® HEXFET®, StrongIRFET™
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 85A (Tc) 195A (Tc) 120A (Tc) 195A (Tc)

IRFSL4321PBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRFSL4321PBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRFSL4321PBF - Infineon Technologies.

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