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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRFSL3306PBF
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRFSL3306PBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRFSL3306PBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRFSL3306PBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 60V 120A TO262
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Scheda dati
IRFSL3306PBF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 31746

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRFSL3306PBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRFSL3306PBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRFSL3306PBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 150µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-262  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 4.2mOhm @ 75A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 230W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4520 pF @ 50 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 120 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 120A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRFSL3306  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRFSL3306PBF

Proprietà del prodotto IRFSL3306PBF IRFSL23N20D102P IRFSL3607PBF IRFSL4228PBF
Modello di prodotti IRFSL3306PBF IRFSL23N20D102P IRFSL3607PBF IRFSL4228PBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Contenitore dispositivo fornitore TO-262 TO-262 TO-262 TO-262
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 120A (Tc) 24A (Tc) 80A (Tc) 83A (Tc)
Caratteristica FET - - - -
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 200 V 75 V 150 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±30V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 150µA 5.5V @ 250µA 4V @ 100µA 5V @ 250µA
Dissipazione di potenza (max) 230W (Tc) 3.8W (Ta), 170W (Tc) 140W (Tc) 330W (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Rds On (max) a Id, Vgs 4.2mOhm @ 75A, 10V 100mOhm @ 14A, 10V 9mOhm @ 46A, 10V 15mOhm @ 33A, 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4520 pF @ 50 V 1960 pF @ 25 V 3070 pF @ 50 V 4530 pF @ 25 V
Pacchetto Tube Tube Bulk Tube
Contenitore / involucro TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Numero di prodotto di base IRFSL3306 - - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 120 nC @ 10 V 86 nC @ 10 V 84 nC @ 10 V 107 nC @ 10 V

IRFSL3306PBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRFSL3306PBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRFSL3306PBF - Infineon Technologies.

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