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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRFSL3004PBF
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRFSL3004PBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRFSL3004PBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRFSL3004PBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 40V 195A TO262
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Scheda dati
IRFSL3004PBF.pdf
In magazzino: 3930

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRFSL3004PBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRFSL3004PBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRFSL3004PBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-262  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 1.75mOhm @ 195A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 380W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 9200 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 240 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 40 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 195A (Ta)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRFSL3004PBF

Proprietà del prodotto IRFSL3004PBF IRFSL23N20D102P IRFSL3107PBF IRFS9N60A
Modello di prodotti IRFSL3004PBF IRFSL23N20D102P IRFSL3107PBF IRFS9N60A
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Vishay Siliconix
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 195A (Ta) 24A (Tc) 195A (Tc) 9.2A (Tc)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 240 nC @ 10 V 86 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V 49 nC @ 10 V
Caratteristica FET - - - -
Dissipazione di potenza (max) 380W (Tc) 3.8W (Ta), 170W (Tc) 370W (Tc) 170W (Tc)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 9200 pF @ 25 V 1960 pF @ 25 V 9370 pF @ 50 V 1400 pF @ 25 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Tensione drain-source (Vdss) 40 V 200 V 75 V 600 V
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 5.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore TO-262 TO-262 TO-262 D²PAK (TO-263)
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±30V
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Rds On (max) a Id, Vgs 1.75mOhm @ 195A, 10V 100mOhm @ 14A, 10V 3mOhm @ 140A, 10V 750mOhm @ 5.5A, 10V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Surface Mount
Contenitore / involucro TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® -
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

IRFSL3004PBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRFSL3004PBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRFSL3004PBF - Infineon Technologies.

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