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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRFSL4010PBF
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRFSL4010PBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRFSL4010PBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRFSL4010PBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 180A TO262
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Scheda dati
IRFSL4010PBF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 16618

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRFSL4010PBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRFSL4010PBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRFSL4010PBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-262  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 4.7mOhm @ 106A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 375W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 9575 pF @ 50 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 215 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 180A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRFSL4010  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRFSL4010PBF

Proprietà del prodotto IRFSL4010PBF IRFSL3207ZPBF IRFSL4310ZPBF IRFSL4020PBF
Modello di prodotti IRFSL4010PBF IRFSL3207ZPBF IRFSL4310ZPBF IRFSL4020PBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Numero di prodotto di base IRFSL4010 IRFSL3207 - -
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Pacchetto Tube Tube Bulk Tube
Caratteristica FET - - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 4.7mOhm @ 106A, 10V 4.1mOhm @ 75A, 10V 6mOhm @ 75A, 10V 105mOhm @ 11A, 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 9575 pF @ 50 V 6920 pF @ 50 V 6860 pF @ 50 V 1200 pF @ 50 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 215 nC @ 10 V 170 nC @ 10 V 170 nC @ 10 V 29 nC @ 10 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore / involucro TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Contenitore dispositivo fornitore TO-262 TO-262 TO-262 TO-262
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 180A (Tc) 120A (Tc) 120A (Tc) 18A (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 75 V 100 V 200 V
Dissipazione di potenza (max) 375W (Tc) 300W (Tc) 250W (Tc) 100W (Tc)
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 150µA 4V @ 150µA 4.9V @ 100µA

IRFSL4010PBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRFSL4010PBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRFSL4010PBF - Infineon Technologies.

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