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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRFS4410TRLPBF
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRFS4410TRLPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRFS4410TRLPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRFS4410TRLPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 88A D2PAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
IRFS4410TRLPBF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 9702

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRFS4410TRLPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRFS4410TRLPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRFS4410TRLPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 150µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO263-3  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 10mOhm @ 58A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 200W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5150 pF @ 50 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 180 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 88A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRFS4410  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRFS4410TRLPBF

Proprietà del prodotto IRFS4410TRLPBF IRFS4410ZTRLPBF IRFS4321TRLPBF IRFS4610
Modello di prodotti IRFS4410TRLPBF IRFS4410ZTRLPBF IRFS4321TRLPBF IRFS4610
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 180 nC @ 10 V 120 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 140 nC @ 10 V
Numero di prodotto di base IRFS4410 IRFS4410 IRFS4321 -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 100 V 150 V 100 V
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO263-3 PG-TO263-3 D2PAK D2PAK
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET - - - -
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 150µA 4V @ 150µA 5V @ 250µA 4V @ 100µA
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Rds On (max) a Id, Vgs 10mOhm @ 58A, 10V 9mOhm @ 58A, 10V 15mOhm @ 33A, 10V 14mOhm @ 44A, 10V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±20V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 88A (Tc) 97A (Tc) 85A (Tc) 73A (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5150 pF @ 50 V 4820 pF @ 50 V 4460 pF @ 25 V 3550 pF @ 50 V
Dissipazione di potenza (max) 200W (Tc) 230W (Tc) 350W (Tc) 190W (Tc)
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IRFS4410TRLPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRFS4410TRLPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRFS4410TRLPBF - Infineon Technologies.

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