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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRFS4410ZPBF
International Rectifier
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRFS4410ZPBF - International Rectifier

fabbricante Modello di prodotti
IRFS4410ZPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRFS4410ZPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 97A TO263-3-2
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
IRFS4410ZPBF.pdf
In magazzino: 4230

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRFS4410ZPBF
Specifiche tecniche International Rectifier - IRFS4410ZPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad International Rectifier - IRFS4410ZPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 150µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO263-3-2  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 9mOhm @ 58A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 230W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Bulk  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4820 pF @ 50 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 120 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 97A (Tc)  

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Proprietà del prodotto IRFS4410ZPBF IRFS4610 IRFS4321TRRPBF IRFS4410
Modello di prodotti IRFS4410ZPBF IRFS4610 IRFS4321TRRPBF IRFS4410
fabbricante International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO263-3-2 D2PAK D2PAK D2PAK
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 150µA 4V @ 100µA 5V @ 250µA 4V @ 150µA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4820 pF @ 50 V 3550 pF @ 50 V 4460 pF @ 25 V 5150 pF @ 50 V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Pacchetto Bulk Tube Tape & Reel (TR) Tube
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 100 V 150 V 100 V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 97A (Tc) 73A (Tc) 85A (Tc) 96A (Tc)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 120 nC @ 10 V 140 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V
Rds On (max) a Id, Vgs 9mOhm @ 58A, 10V 14mOhm @ 44A, 10V 15mOhm @ 33A, 10V 10mOhm @ 58A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Caratteristica FET - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Dissipazione di potenza (max) 230W (Tc) 190W (Tc) 350W (Tc) 250W (Tc)

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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