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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRFS4321TRL7PP
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRFS4321TRL7PP - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRFS4321TRL7PP
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRFS4321TRL7PP
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 150V 86A D2PAK-7
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Scheda dati
IRFS4321TRL7PP.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 17132

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRFS4321TRL7PP
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRFS4321TRL7PP, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRFS4321TRL7PP

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK-7  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 14.7mOhm @ 34A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 350W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4460 pF @ 50 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 150 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 86A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRFS4321  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRFS4321TRL7PP

Proprietà del prodotto IRFS4321TRL7PP IRFS4410 IRFS4310ZPBF IRFS4321TRRPBF
Modello di prodotti IRFS4321TRL7PP IRFS4410 IRFS4310ZPBF IRFS4321TRRPBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V - 10V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipazione di potenza (max) 350W (Tc) 250W (Tc) 250W (Tc) 350W (Tc)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V 170 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 86A (Tc) 96A (Tc) 120A (Tc) 85A (Tc)
Tensione drain-source (Vdss) 150 V 100 V 100 V 150 V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tube Bulk Tape & Reel (TR)
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA 4V @ 150µA 4V @ 150µA 5V @ 250µA
Caratteristica FET - - - -
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK-7 D2PAK PG-TO263-3-2 D2PAK
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±20V
Numero di prodotto di base IRFS4321 - - IRFS4321
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Contenitore / involucro TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Rds On (max) a Id, Vgs 14.7mOhm @ 34A, 10V 10mOhm @ 58A, 10V 6mOhm @ 75A, 10V 15mOhm @ 33A, 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4460 pF @ 50 V 5150 pF @ 50 V 6860 pF @ 50 V 4460 pF @ 25 V

IRFS4321TRL7PP Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRFS4321TRL7PP PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRFS4321TRL7PP - Infineon Technologies.

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