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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRFS4310ZPBF
International Rectifier
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRFS4310ZPBF - International Rectifier

fabbricante Modello di prodotti
IRFS4310ZPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRFS4310ZPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3-2
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
IRFS4310ZPBF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4700

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRFS4310ZPBF
Specifiche tecniche International Rectifier - IRFS4310ZPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad International Rectifier - IRFS4310ZPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 150µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO263-3-2  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 6mOhm @ 75A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 250W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Bulk  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6860 pF @ 50 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 170 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 120A (Tc)  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di International Rectifier IRFS4310ZPBF

Proprietà del prodotto IRFS4310ZPBF IRFS4310TRRPBF IRFS4229TRLPBF IRFS4321TRLPBF
Modello di prodotti IRFS4310ZPBF IRFS4310TRRPBF IRFS4229TRLPBF IRFS4321TRLPBF
fabbricante International Rectifier International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 150µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Pacchetto Bulk Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Rds On (max) a Id, Vgs 6mOhm @ 75A, 10V 7mOhm @ 75A, 10V 48mOhm @ 26A, 10V 15mOhm @ 33A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 250W (Tc) 300W (Tc) 330W (Tc) 350W (Tc)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 120A (Tc) 130A (Tc) 45A (Tc) 85A (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO263-3-2 PG-TO263-3-2 PG-TO263-3 D2PAK
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 170 nC @ 10 V 250 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6860 pF @ 50 V 7670 pF @ 50 V 4560 pF @ 25 V 4460 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±30V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 100 V 250 V 150 V
Caratteristica FET - - - -

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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