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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRFH7934TRPBF
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRFH7934TRPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRFH7934TRPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRFH7934TRPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 24A/76A 8PQFN
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerTDFN
Scheda dati
IRFH7934TRPBF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 73760

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRFH7934TRPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRFH7934TRPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRFH7934TRPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2.35V @ 50µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-PQFN (5x6)  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 3.5mOhm @ 24A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 3.1W (Ta)  
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3100 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 24A (Ta), 76A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRFH7934  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRFH7934TRPBF

Proprietà del prodotto IRFH7934TRPBF IRFH7932TRPBF IRFH7936TRPBF IRFH8303TRPBF
Modello di prodotti IRFH7934TRPBF IRFH7932TRPBF IRFH7936TRPBF IRFH8303TRPBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN 8-PowerVDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Caratteristica FET - - - -
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Rds On (max) a Id, Vgs 3.5mOhm @ 24A, 10V 3.3mOhm @ 25A, 10V 4.8mOhm @ 20A, 10V 1.1mOhm @ 50A, 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 24A (Ta), 76A (Tc) 24A (Ta), 104A (Tc) 20A (Ta), 54A (Tc) 43A (Ta), 100A (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 4.5 V 51 nC @ 4.5 V 26 nC @ 4.5 V 179 nC @ 10 V
Dissipazione di potenza (max) 3.1W (Ta) 3.4W (Ta) 3.1W (Ta) 3.7W (Ta), 156W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3100 pF @ 15 V 4270 pF @ 15 V 2360 pF @ 15 V 7736 pF @ 24 V
Contenitore dispositivo fornitore 8-PQFN (5x6) PQFN (5x6) Single Die 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6)
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®, StrongIRFET™
Vgs (th) (max) a Id 2.35V @ 50µA 2.35V @ 100µA 2.35V @ 50µA 2.2V @ 150µA
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Numero di prodotto di base IRFH7934 IRFH7932 - IRFH8303

IRFH7934TRPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRFH7934TRPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRFH7934TRPBF - Infineon Technologies.

Packaging PCN
Package Drawing Update 19/Aug/2015.pdf Mult Dev Label Chgs 18/Feb/2020.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013.pdf
Informazioni ambientali
PQFN 5x6 RoHS Compliance.pdf

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Europa Germania 5
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Giappone 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
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