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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRFH7923TRPBF
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRFH7923TRPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRFH7923TRPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRFH7923TRPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 15A PQFN56
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerVDFN
Scheda dati
IRFH7923PBF.pdf
In magazzino: 4490

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IRFH7923TRPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRFH7923TRPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRFH7923TRPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2.35V @ 25µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PQFN (5x6) Single Die  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 8.7mOhm @ 15A, 10V  
Contenitore / involucro 8-PowerVDFN  
Pacchetto Cut Tape (CT)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1095 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 15A (Ta), 33A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRFH7923TRPBF

Proprietà del prodotto IRFH7923TRPBF IRFH7934TRPBF IRFH7914TR2PBF IRFH7932TRPBF
Modello di prodotti IRFH7923TRPBF IRFH7934TRPBF IRFH7914TR2PBF IRFH7932TRPBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1095 pF @ 15 V 3100 pF @ 15 V 1160 pF @ 15 V 4270 pF @ 15 V
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Vgs (th) (max) a Id 2.35V @ 25µA 2.35V @ 50µA 2.35V @ 25µA 2.35V @ 100µA
Rds On (max) a Id, Vgs 8.7mOhm @ 15A, 10V 3.5mOhm @ 24A, 10V 8.7mOhm @ 14A, 10V 3.3mOhm @ 25A, 10V
Serie - HEXFET® - HEXFET®
Pacchetto Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro 8-PowerVDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerVDFN
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Caratteristica FET - - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 15A (Ta), 33A (Tc) 24A (Ta), 76A (Tc) 15A (Ta), 35A (Tc) 24A (Ta), 104A (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 4.5 V 30 nC @ 4.5 V 12 nC @ 4.5 V 51 nC @ 4.5 V
Contenitore dispositivo fornitore PQFN (5x6) Single Die 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) PQFN (5x6) Single Die
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

IRFH7923TRPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRFH7923TRPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRFH7923TRPBF - Infineon Technologies.

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IRFH7923PBF.pdf

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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
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