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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRFH8202TRPBF
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRFH8202TRPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRFH8202TRPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRFH8202TRPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 25V 47A/100A 8PQFN
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerTDFN
Scheda dati
IRFH8202TRPBF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 17932

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRFH8202TRPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRFH8202TRPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRFH8202TRPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2.35V @ 150µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-PQFN (5x6)  
Serie HEXFET®, StrongIRFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 1.05mOhm @ 50A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 3.6W (Ta), 160W (Tc)  
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7174 pF @ 13 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 25 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 47A (Ta), 100A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRFH8202  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRFH8202TRPBF

Proprietà del prodotto IRFH8202TRPBF IRFH7934TRPBF IRFH8303TRPBF IRFH8201TRPBF
Modello di prodotti IRFH8202TRPBF IRFH7934TRPBF IRFH8303TRPBF IRFH8201TRPBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7174 pF @ 13 V 3100 pF @ 15 V 7736 pF @ 24 V 7330 pF @ 13 V
Vgs (th) (max) a Id 2.35V @ 150µA 2.35V @ 50µA 2.2V @ 150µA 2.35V @ 150µA
Tensione drain-source (Vdss) 25 V 30 V 30 V 25 V
Serie HEXFET®, StrongIRFET™ HEXFET® HEXFET®, StrongIRFET™ HEXFET®, StrongIRFET™
Dissipazione di potenza (max) 3.6W (Ta), 160W (Tc) 3.1W (Ta) 3.7W (Ta), 156W (Tc) 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V 30 nC @ 4.5 V 179 nC @ 10 V 111 nC @ 10 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Numero di prodotto di base IRFH8202 IRFH7934 IRFH8303 IRFH8201
Contenitore dispositivo fornitore 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Rds On (max) a Id, Vgs 1.05mOhm @ 50A, 10V 3.5mOhm @ 24A, 10V 1.1mOhm @ 50A, 10V 0.95mOhm @ 50A, 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 47A (Ta), 100A (Tc) 24A (Ta), 76A (Tc) 43A (Ta), 100A (Tc) 49A (Ta), 100A (Tc)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Caratteristica FET - - - -

IRFH8202TRPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRFH8202TRPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRFH8202TRPBF - Infineon Technologies.

Packaging PCN
Package Drawing Update 19/Aug/2015.pdf Barcode Label Update 24/Feb/2017.pdf
PCN Design/Specifica
Mult Dev Label Chgs Aug/2020.pdf Mult Dev Lot Chgs 25/May/2021.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Mult Dev EOL 9/Nov/2022.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Additional Assembly Site 23/Jul/2014.pdf

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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