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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRFH7004TRPBF
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRFH7004TRPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRFH7004TRPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRFH7004TRPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 40V 100A 8PQFN
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-VQFN Exposed Pad
Scheda dati
IRFH7004TRPBF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 41400

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IRFH7004TRPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRFH7004TRPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRFH7004TRPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 3.9V @ 150µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-PQFN (5x6)  
Serie HEXFET®, StrongIRFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 1.4mOhm @ 100A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 156W (Tc)  
Contenitore / involucro 8-VQFN Exposed Pad  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6419 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 194 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 40 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 100A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRFH7004  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRFH7004TRPBF

Proprietà del prodotto IRFH7004TRPBF IRFH5306TRPBF IRFH7107TRPBF IRFH7110TR2PBF
Modello di prodotti IRFH7004TRPBF IRFH5306TRPBF IRFH7107TRPBF IRFH7110TR2PBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 4.5V, 10V 10V -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 100A (Tc) 15A (Ta), 44A (Tc) 14A (Ta), 75A (Tc) 11A (Ta), 58A (Tc)
Contenitore / involucro 8-VQFN Exposed Pad 8-PowerVDFN 8-PowerTDFN 8-TQFN Exposed Pad
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6419 pF @ 25 V 1125 pF @ 15 V 3110 pF @ 25 V 3240 pF @ 25 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 194 nC @ 10 V 12 nC @ 4.5 V 72 nC @ 10 V 87 nC @ 10 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (max) a Id, Vgs 1.4mOhm @ 100A, 10V 8.1mOhm @ 15A, 10V 8.5mOhm @ 45A, 10V 13.5mOhm @ 35A, 10V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Numero di prodotto di base IRFH7004 - - -
Vgs (th) (max) a Id 3.9V @ 150µA 2.35V @ 25µA 4V @ 100µA 4V @ 100µA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Caratteristica FET - - - -
Tensione drain-source (Vdss) 40 V 30 V 75 V 100 V
Dissipazione di potenza (max) 156W (Tc) 3.6W (Ta), 26W (Tc) 3.6W (Ta), 104W (Tc) -
Contenitore dispositivo fornitore 8-PQFN (5x6) PQFN (5x6) Single Die 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Serie HEXFET®, StrongIRFET™ HEXFET® HEXFET® -

IRFH7004TRPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRFH7004TRPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRFH7004TRPBF - Infineon Technologies.

PCN Design/Specifica
Mult Dev Label Chgs Aug/2020.pdf Mult Dev Lot Chgs 25/May/2021.pdf
Packaging PCN
Packing Material Update 16/Sep/2016.pdf Barcode Label Update 24/Feb/2017.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev Assembly Site Add 9/Aug/2018.pdf

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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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