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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRFH5306TR2PBF
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRFH5306TR2PBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRFH5306TR2PBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRFH5306TR2PBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 15A 5X6 PQFN
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerVDFN
Scheda dati
IRFH5306TR2PBF.pdf
In magazzino: 3790

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IRFH5306TR2PBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRFH5306TR2PBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRFH5306TR2PBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2.35V @ 25µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PQFN (5x6) Single Die  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 8.1mOhm @ 15A, 10V  
Contenitore / involucro 8-PowerVDFN  
Pacchetto Cut Tape (CT)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1125 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 15A (Ta), 44A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRFH5306TR2PBF

Proprietà del prodotto IRFH5306TR2PBF IRFH5306TRPBF IRFH5303TRPBF IRFH5302TRPBF
Modello di prodotti IRFH5306TR2PBF IRFH5306TRPBF IRFH5303TRPBF IRFH5302TRPBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Contenitore dispositivo fornitore PQFN (5x6) Single Die PQFN (5x6) Single Die 8-PQFN (5x6) PQFN (5x6) Single Die
Pacchetto Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (th) (max) a Id 2.35V @ 25µA 2.35V @ 25µA 2.35V @ 50µA 2.35V @ 100µA
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 4.5 V 12 nC @ 4.5 V 41 nC @ 10 V 76 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1125 pF @ 15 V 1125 pF @ 15 V 2190 pF @ 15 V 4400 pF @ 15 V
Caratteristica FET - - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (max) a Id, Vgs 8.1mOhm @ 15A, 10V 8.1mOhm @ 15A, 10V 4.2mOhm @ 49A, 10V 2.1mOhm @ 50A, 10V
Contenitore / involucro 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN
Serie - HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 15A (Ta), 44A (Tc) 15A (Ta), 44A (Tc) 23A (Ta), 82A (Tc) 32A (Ta), 100A (Tc)
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

IRFH5306TR2PBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRFH5306TR2PBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRFH5306TR2PBF - Infineon Technologies.

Assemblaggio/origine PCN
Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Multiple Devices 13/Nov/2013.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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