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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRFH5206TRPBF
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRFH5206TRPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRFH5206TRPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRFH5206TRPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 60V 16A/89A 8PQFN
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerVDFN
Scheda dati
IRFH5206TRPBF.pdf
In magazzino: 4650

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRFH5206TRPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRFH5206TRPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRFH5206TRPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-PQFN (5x6)  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 6.7mOhm @ 50A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 3.6W (Ta), 100W (Tc)  
Contenitore / involucro 8-PowerVDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2490 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 16A (Ta), 89A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRFH5206TRPBF

Proprietà del prodotto IRFH5206TRPBF IRFH5250DTRPBF IRFH5110TRPBF IRFH5204TR2PBF
Modello di prodotti IRFH5206TRPBF IRFH5250DTRPBF IRFH5110TRPBF IRFH5204TR2PBF
fabbricante Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies
Dissipazione di potenza (max) 3.6W (Ta), 100W (Tc) 3.6W (Ta), 156W (Tc) 3.6W (Ta), 114W (Tc) -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 4.5V, 10V 10V -
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 100µA 2.35V @ 150µA 4V @ 100µA 4V @ 100µA
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 25 V 100 V 40 V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Rds On (max) a Id, Vgs 6.7mOhm @ 50A, 10V 1.4mOhm @ 50A, 10V 12.4mOhm @ 37A, 10V 4.3mOhm @ 50A, 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2490 pF @ 25 V 6115 pF @ 13 V 3152 pF @ 25 V 2460 pF @ 25 V
Contenitore dispositivo fornitore 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) PQFN (5x6)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 16A (Ta), 89A (Tc) 40A (Ta), 100A (Tc) 11A (Ta), 63A (Tc) 22A (Ta), 100A (Tc)
Caratteristica FET - - - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Contenitore / involucro 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-VQFN Exposed Pad
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V 83 nC @ 10 V 72 nC @ 10 V 65 nC @ 10 V

IRFH5206TRPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRFH5206TRPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRFH5206TRPBF - Infineon Technologies.

Packaging PCN
Package Drawing Update 19/Aug/2015.pdf Packing Material Update 16/Sep/2016.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013.pdf
Informazioni ambientali
PQFN 5x6 RoHS Compliance.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Multi Mosfet EOL 2/Mar/2016.pdf

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Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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