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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRFH5204TR2PBF
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

IRFH5204TR2PBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRFH5204TR2PBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRFH5204TR2PBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 40V 22A PQFN
Pacchetto
8-VQFN Exposed Pad
Scheda dati
IRFH5204TR2PBF.pdf
La nostra certificazione
In magazzino: 3700

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IRFH5204TR2PBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRFH5204TR2PBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRFH5204TR2PBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 100µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PQFN (5x6)  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 4.3mOhm @ 50A, 10V  
Contenitore / involucro 8-VQFN Exposed Pad  
Pacchetto Cut Tape (CT)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2460 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 65 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 40 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 22A (Ta), 100A (Tc)  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRFH5204TR2PBF

Proprietà del prodotto IRFH5204TR2PBF IRFH5104TRPBF IRFH5106TR2PBF IRFH5210TRPBF
Modello di prodotti IRFH5204TR2PBF IRFH5104TRPBF IRFH5106TR2PBF IRFH5210TRPBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Rds On (max) a Id, Vgs 4.3mOhm @ 50A, 10V 3.5mOhm @ 50A, 10V 5.6mOhm @ 50A, 10V 14.9mOhm @ 33A, 10V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 65 nC @ 10 V 80 nC @ 10 V 75 nC @ 10 V 59 nC @ 10 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore PQFN (5x6) PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6)
Tensione drain-source (Vdss) 40 V 40 V 60 V 100 V
Caratteristica FET - - - -
Contenitore / involucro 8-VQFN Exposed Pad 8-VQFN Exposed Pad 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2460 pF @ 25 V 3120 pF @ 25 V 3090 pF @ 25 V 2570 pF @ 25 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 22A (Ta), 100A (Tc) 24A (Ta), 100A (Tc) 21A (Ta), 100A (Tc) 10A (Ta), 55A (Tc)
Pacchetto Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
Serie - HEXFET® - HEXFET®
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 100µA 4V @ 100µA 4V @ 250µA 4V @ 100µA

IRFH5204TR2PBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRFH5204TR2PBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRFH5204TR2PBF - Infineon Technologies.

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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