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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRFH5110TR2PBF
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

IRFH5110TR2PBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRFH5110TR2PBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRFH5110TR2PBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 5X6 PQFN
Pacchetto
8-PowerVDFN
Scheda dati
IRFH5110TR2PBF.pdf
La nostra certificazione
In magazzino: 3990

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IRFH5110TR2PBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRFH5110TR2PBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRFH5110TR2PBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 100µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-PQFN (5x6)  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 12.4mOhm @ 37A, 10V  
Contenitore / involucro 8-PowerVDFN  
Pacchetto Cut Tape (CT)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3152 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 72 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 11A (Ta), 63A (Tc)  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRFH5110TR2PBF

Proprietà del prodotto IRFH5110TR2PBF IRFH5207TRPBF IRFH5206TR2PBF IRFH5204TR2PBF
Modello di prodotti IRFH5110TR2PBF IRFH5207TRPBF IRFH5206TR2PBF IRFH5204TR2PBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 72 nC @ 10 V 59 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V 65 nC @ 10 V
Caratteristica FET - - - -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Contenitore dispositivo fornitore 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) PQFN (5x6)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 100µA 4V @ 100µA 4V @ 100µA 4V @ 100µA
Serie - HEXFET® - -
Contenitore / involucro 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-VQFN Exposed Pad
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 75 V 60 V 40 V
Pacchetto Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Cut Tape (CT)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3152 pF @ 25 V 2474 pF @ 25 V 2490 pF @ 25 V 2460 pF @ 25 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 11A (Ta), 63A (Tc) 13A (Ta), 71A (Tc) 16A (Ta), 89A (Tc) 22A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (max) a Id, Vgs 12.4mOhm @ 37A, 10V 9.6mOhm @ 43A, 10V 6.7mOhm @ 50A, 10V 4.3mOhm @ 50A, 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

IRFH5110TR2PBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRFH5110TR2PBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRFH5110TR2PBF - Infineon Technologies.

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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