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OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

IRF7604TRPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRF7604TRPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRF7604TRPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 20V 3.6A MICRO8
Pacchetto
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Scheda dati
IRF7604PbF.pdf
La nostra certificazione
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Specifiche

Specifiche tecnologiche IRF7604TRPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRF7604TRPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRF7604TRPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 700mV @ 250µA (Min)  
Vgs (Max) ±12V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore Micro8™  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 90mOhm @ 2.4A, 4.5V  
Dissipazione di potenza (max) 1.8W (Ta)  
Contenitore / involucro 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 590 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 4.5 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 4.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 20 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.6A (Ta)  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 2 (1 Year)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRF7604TRPBF

Proprietà del prodotto IRF7604TRPBF IRF7603TR IRF7604TR IRF7603TRPBF
Modello di prodotti IRF7604TRPBF IRF7603TR IRF7604TR IRF7603TRPBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Serie HEXFET® - - HEXFET®
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 4.5 V 27 nC @ 10 V 20 nC @ 4.5 V 27 nC @ 10 V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
Tensione drain-source (Vdss) 20 V 30 V 20 V 30 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) - - -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±12V - - ±20V
Contenitore / involucro 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Dissipazione di potenza (max) 1.8W (Ta) - - 1.8W (Ta)
Rds On (max) a Id, Vgs 90mOhm @ 2.4A, 4.5V 35mOhm @ 3.7A, 10V 90mOhm @ 2.4A, 4.5V 35mOhm @ 3.7A, 10V
Tipo FET P-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Caratteristica FET - - - -
Vgs (th) (max) a Id 700mV @ 250µA (Min) 1V @ 250µA 700mV @ 250µA (Min) 1V @ 250µA
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.6A (Ta) 5.6A (Ta) 3.6A (Ta) 5.6A (Ta)
Contenitore dispositivo fornitore Micro8™ Micro8™ Micro8™ Micro8™
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 4.5V - - 4.5V, 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 590 pF @ 15 V 520 pF @ 25 V 590 pF @ 15 V 520 pF @ 25 V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

IRF7604TRPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRF7604TRPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRF7604TRPBF - Infineon Technologies.

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IR Part Numbering System.pdf
Schede tecniche
IRF7604PbF.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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