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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRF7601TRPBF
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRF7601TRPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRF7601TRPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRF7601TRPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO8
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Scheda dati
IRF7601TRPBF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 5030

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRF7601TRPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRF7601TRPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRF7601TRPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 700mV @ 250µA (Min)  
Vgs (Max) ±12V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore Micro8™  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 35mOhm @ 3.8A, 4.5V  
Dissipazione di potenza (max) 1.8W (Ta)  
Contenitore / involucro 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 650 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 4.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 20 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.7A (Ta)  
Numero di prodotto di base IRF7601  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRF7601TRPBF

Proprietà del prodotto IRF7601TRPBF IRF7604TR IRF7603TR IRF7580MTRPBF
Modello di prodotti IRF7601TRPBF IRF7604TR IRF7603TR IRF7580MTRPBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier
Dissipazione di potenza (max) 1.8W (Ta) - - 115W (Tc)
Numero di prodotto di base IRF7601 - - -
Tipo FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Serie HEXFET® - - StrongIRFET™
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Cut Tape (CT) Bulk
Rds On (max) a Id, Vgs 35mOhm @ 3.8A, 4.5V 90mOhm @ 2.4A, 4.5V 35mOhm @ 3.7A, 10V 3.6mOhm @ 70A, 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 4.5 V 20 nC @ 4.5 V 27 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V
Tensione drain-source (Vdss) 20 V 20 V 30 V 60 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 650 pF @ 15 V 590 pF @ 15 V 520 pF @ 25 V 6510 pF @ 25 V
Vgs (th) (max) a Id 700mV @ 250µA (Min) 700mV @ 250µA (Min) 1V @ 250µA 3.7V @ 150µA
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 4.5V - - 6V, 10V
Contenitore dispositivo fornitore Micro8™ Micro8™ Micro8™ DirectFET™ Isometric ME
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Caratteristica FET - - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.7A (Ta) 3.6A (Ta) 5.6A (Ta) 114A (Tc)
Vgs (Max) ±12V - - ±20V
Contenitore / involucro 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) DirectFET™ Isometric ME
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) - - -55°C ~ 175°C (TJ)

IRF7601TRPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRF7601TRPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRF7601TRPBF - Infineon Technologies.

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