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IRF7603TR Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRF7603TR - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRF7603TR
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRF7603TR
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 5.6A MICRO8
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Scheda dati
IRF7603.pdf
In magazzino: 4820

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRF7603TR
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRF7603TR, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRF7603TR

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore Micro8™  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 35mOhm @ 3.7A, 10V  
Contenitore / involucro 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)  
Pacchetto Cut Tape (CT)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 520 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.6A (Ta)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRF7603TR

Proprietà del prodotto IRF7603TR IRF7606TR IRF7580MTRPBF IRF7604TRPBF
Modello di prodotti IRF7603TR IRF7606TR IRF7580MTRPBF IRF7604TRPBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V 60 V 20 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 520 pF @ 25 V 520 pF @ 25 V 6510 pF @ 25 V 590 pF @ 15 V
Tipo FET N-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.6A (Ta) 3.6A (Ta) 114A (Tc) 3.6A (Ta)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V 20 nC @ 4.5 V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie - HEXFET® StrongIRFET™ HEXFET®
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (max) a Id, Vgs 35mOhm @ 3.7A, 10V 90mOhm @ 2.4A, 10V 3.6mOhm @ 70A, 10V 90mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 3.7V @ 150µA 700mV @ 250µA (Min)
Contenitore / involucro 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) DirectFET™ Isometric ME 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Pacchetto Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Caratteristica FET - - - -
Contenitore dispositivo fornitore Micro8™ Micro8™ DirectFET™ Isometric ME Micro8™

IRF7603TR Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRF7603TR PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRF7603TR - Infineon Technologies.

Altri documenti correlati
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PCN Obsolescence/ EOL
HiRel EOL 28/Jun/2015.pdf
Schede tecniche
IRF7603.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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