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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRF300P227
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRF300P227 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRF300P227
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRF300P227
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 300V 50A TO247AC
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-247-3
Scheda dati
IRF300P227.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 6822

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRF300P227
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRF300P227, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRF300P227

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 270µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO247-3  
Serie StrongIRFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 40mOhm @ 30A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 313W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-247-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4893 pF @ 50 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 107 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 300 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 50A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRF300  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRF300P227

Proprietà del prodotto IRF300P227 IRF3205PBF IRF3007STRLPBF IRF3007SPBF
Modello di prodotti IRF300P227 IRF3205PBF IRF3007STRLPBF IRF3007SPBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Surface Mount Surface Mount
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 50A (Tc) 110A (Tc) 62A (Tc) 62A (Tc)
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 270µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Rds On (max) a Id, Vgs 40mOhm @ 30A, 10V 8mOhm @ 62A, 10V 12.6mOhm @ 48A, 10V 12.6mOhm @ 48A, 10V
Contenitore / involucro TO-247-3 TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numero di prodotto di base IRF300 IRF3205 IRF3007 IRF3007
Caratteristica FET - - - -
Tensione drain-source (Vdss) 300 V 55 V 75 V 75 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Pacchetto Tube Tube Tape & Reel (TR) Tube
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 107 nC @ 10 V 146 nC @ 10 V 130 nC @ 10 V 130 nC @ 10 V
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO247-3 TO-220AB D2PAK D2PAK
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4893 pF @ 50 V 3247 pF @ 25 V 3270 pF @ 25 V 3270 pF @ 25 V
Dissipazione di potenza (max) 313W (Tc) 200W (Tc) 120W (Tc) 120W (Tc)
Serie StrongIRFET™ HEXFET® HEXFET® HEXFET®

IRF300P227 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRF300P227 PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRF300P227 - Infineon Technologies.

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