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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRF3007STRLPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRF3007STRLPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRF3007STRLPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N CH 75V 62A D2PAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
IRF3007S/LPbF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 19900

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRF3007STRLPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRF3007STRLPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRF3007STRLPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 12.6mOhm @ 48A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 120W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3270 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 75 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 62A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRF3007  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRF3007STRLPBF

Proprietà del prodotto IRF3007STRLPBF IRF3007SPBF IRF300P226 IRF3007PBF
Modello di prodotti IRF3007STRLPBF IRF3007SPBF IRF300P226 IRF3007PBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 270µA 4V @ 250µA
Dissipazione di potenza (max) 120W (Tc) 120W (Tc) 556W (Tc) 200W (Tc)
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK D2PAK TO-247AC TO-220AB
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tube Tube Bulk
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Serie HEXFET® HEXFET® StrongIRFET™ HEXFET®
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Numero di prodotto di base IRF3007 IRF3007 IRF300 IRF3007
Caratteristica FET - - - -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Through Hole Through Hole
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 62A (Tc) 62A (Tc) 100A (Tc) 75A (Tc)
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-247-3 TO-220-3
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 10 V 130 nC @ 10 V 191 nC @ 10 V 130 nC @ 10 V
Tensione drain-source (Vdss) 75 V 75 V 300 V 75 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3270 pF @ 25 V 3270 pF @ 25 V 10030 pF @ 50 V 3270 pF @ 25 V
Rds On (max) a Id, Vgs 12.6mOhm @ 48A, 10V 12.6mOhm @ 48A, 10V 19mOhm @ 45A, 10V 12.6mOhm @ 48A, 10V

IRF3007STRLPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRF3007STRLPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRF3007STRLPBF - Infineon Technologies.

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