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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRF300P226
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRF300P226 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRF300P226
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRF300P226
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 300V 100A TO247AC
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-247-3
Scheda dati
IRF300P226.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 5836

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRF300P226
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRF300P226, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRF300P226

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 270µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-247AC  
Serie StrongIRFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 19mOhm @ 45A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 556W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-247-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 10030 pF @ 50 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 191 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 300 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 100A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRF300  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRF300P226

Proprietà del prodotto IRF300P226 IRF3007STRLPBF IRF3007PBF IRF3000
Modello di prodotti IRF300P226 IRF3007STRLPBF IRF3007PBF IRF3000
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Rds On (max) a Id, Vgs 19mOhm @ 45A, 10V 12.6mOhm @ 48A, 10V 12.6mOhm @ 48A, 10V 400mOhm @ 960mA, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 300 V 75 V 75 V 300 V
Tipo montaggio Through Hole Surface Mount Through Hole Surface Mount
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±30V
Caratteristica FET - - - -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 270µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Contenitore / involucro TO-247-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Contenitore dispositivo fornitore TO-247AC D2PAK TO-220AB 8-SO
Numero di prodotto di base IRF300 IRF3007 IRF3007 -
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 191 nC @ 10 V 130 nC @ 10 V 130 nC @ 10 V 33 nC @ 10 V
Pacchetto Tube Tape & Reel (TR) Bulk Tube
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 100A (Tc) 62A (Tc) 75A (Tc) 1.6A (Ta)
Serie StrongIRFET™ HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 10030 pF @ 50 V 3270 pF @ 25 V 3270 pF @ 25 V 730 pF @ 25 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Dissipazione di potenza (max) 556W (Tc) 120W (Tc) 200W (Tc) 2.5W (Ta)

IRF300P226 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRF300P226 PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRF300P226 - Infineon Technologies.

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