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IRF2804SPBF Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRF2804SPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRF2804SPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRF2804SPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
IRF2804SPBF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 3620

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRF2804SPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRF2804SPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRF2804SPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 2mOhm @ 75A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6450 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 240 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 40 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 75A (Tc)  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRF2804SPBF

Proprietà del prodotto IRF2804SPBF IRF2804PBF IRF2804STRL-7P IRF2804LPBF
Modello di prodotti IRF2804SPBF IRF2804PBF IRF2804STRL-7P IRF2804LPBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK TO-220AB D2PAK (7-Lead) TO-262
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 240 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V 260 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V
Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc) 300W (Tc) 330W (Tc) 300W (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V -
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (max) a Id, Vgs 2mOhm @ 75A, 10V 2.3mOhm @ 75A, 10V 1.6mOhm @ 160A, 10V 2.3mOhm @ 75A, 10V
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Caratteristica FET - - - -
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6450 pF @ 25 V 6450 pF @ 25 V 6930 pF @ 25 V 6450 pF @ 25 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 75A (Tc) 75A (Tc) 160A (Tc) 75A (Tc)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Tipo montaggio Surface Mount Through Hole Surface Mount Through Hole
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Tensione drain-source (Vdss) 40 V 40 V 40 V 40 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -

IRF2804SPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRF2804SPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRF2804SPBF - Infineon Technologies.

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