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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

IRF2804STRL7PP - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRF2804STRL7PP
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRF2804STRL7PP
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
Pacchetto
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Scheda dati
IRF2804S-7P.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 14104

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IRF2804STRL7PP
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRF2804STRL7PP, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRF2804STRL7PP

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK (7-Lead)  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 1.6mOhm @ 160A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 330W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6930 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 260 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 40 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 160A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRF2804  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRF2804STRL7PP

Proprietà del prodotto IRF2804STRL7PP IRF2804STRLPBF IRF2804STRL-7P IRF2804STRR7PP
Modello di prodotti IRF2804STRL7PP IRF2804STRLPBF IRF2804STRL-7P IRF2804STRR7PP
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6930 pF @ 25 V 6450 pF @ 25 V 6930 pF @ 25 V 6930 pF @ 25 V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 260 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V 260 nC @ 10 V 260 nC @ 10 V
Tensione drain-source (Vdss) 40 V 40 V 40 V 40 V
Numero di prodotto di base IRF2804 IRF2804 - -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Caratteristica FET - - - -
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK (7-Lead) D2PAK D2PAK (7-Lead) D2PAK (7-Lead)
Dissipazione di potenza (max) 330W (Tc) 300W (Tc) 330W (Tc) 330W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 160A (Tc) 75A (Tc) 160A (Tc) 160A (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Contenitore / involucro TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Rds On (max) a Id, Vgs 1.6mOhm @ 160A, 10V 2mOhm @ 75A, 10V 1.6mOhm @ 160A, 10V 1.6mOhm @ 160A, 10V

IRF2804STRL7PP Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRF2804STRL7PP PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRF2804STRL7PP - Infineon Technologies.

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America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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