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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRF2804LPBF
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRF2804LPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRF2804LPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRF2804LPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 40V 75A TO262
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Scheda dati
IRF2804LPBF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 22089

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRF2804LPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRF2804LPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRF2804LPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-262  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 2.3mOhm @ 75A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6450 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 240 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 40 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 75A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRF2804  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRF2804LPBF

Proprietà del prodotto IRF2804LPBF IRF250P224 IRF250P225 IRF2804PBF
Modello di prodotti IRF2804LPBF IRF250P224 IRF250P225 IRF2804PBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Rds On (max) a Id, Vgs 2.3mOhm @ 75A, 10V 12mOhm @ 58A, 10V 22mOhm @ 41A, 10V 2.3mOhm @ 75A, 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6450 pF @ 25 V 9915 pF @ 50 V 4897 pF @ 50 V 6450 pF @ 25 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 270µA 4V @ 270µA 4V @ 250µA
Numero di prodotto di base IRF2804 IRF250 IRF250 IRF2804
Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc) 313W (Tc) 313W (Tc) 300W (Tc)
Contenitore / involucro TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-247-3 TO-247-3 TO-220-3
Contenitore dispositivo fornitore TO-262 TO-247AC TO-247AC TO-220AB
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 240 nC @ 10 V 203 nC @ 10 V 96 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Caratteristica FET - - - -
Tensione drain-source (Vdss) 40 V 250 V 250 V 40 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 75A (Tc) 96A (Tc) 69A (Tc) 75A (Tc)
Serie HEXFET® StrongIRFET™ StrongIRFET™ HEXFET®

IRF2804LPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRF2804LPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRF2804LPBF - Infineon Technologies.

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