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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciIPG20N04S408ATMA1
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IPG20N04S408ATMA1 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IPG20N04S408ATMA1
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IPG20N04S408ATMA1
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerVDFN
Scheda dati
IPG20N04S408ATMA1.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 37430

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IPG20N04S408ATMA1
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IPG20N04S408ATMA1, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IPG20N04S408ATMA1

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 30µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TDSON-8-4  
Serie OptiMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 7.6mOhm @ 17A, 10V  
Potenza - Max 65W  
Contenitore / involucro 8-PowerVDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2940pF @ 25V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 10V  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 40V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 20A  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base IPG20N  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IPG20N04S408ATMA1

Proprietà del prodotto IPG20N04S408ATMA1 IPG20N04S4-08 IPG16N10S4L61AATMA1 IPG20N04S409ATMA1
Modello di prodotti IPG20N04S408ATMA1 IPG20N04S4-08 IPG16N10S4L61AATMA1 IPG20N04S409ATMA1
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 30µA 4V @ 30µA 2.1V @ 90µA 4V @ 22µA
Tensione drain-source (Vdss) 40V 40V 100V 40V
Rds On (max) a Id, Vgs 7.6mOhm @ 17A, 10V 7.6mOhm @ 17A, 10V 61mOhm @ 16A, 10V 8.6mOhm @ 17A, 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 10V 36nC @ 10V 11nC @ 10V 28nC @ 10V
Contenitore / involucro 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerTDFN
Contenitore dispositivo fornitore PG-TDSON-8-4 PG-TDSON-8-4 PG-TDSON-8-10 PG-TDSON-8
Numero di prodotto di base IPG20N IPG20N IPG16N10 IPG20N
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount, Wettable Flank Surface Mount
Potenza - Max 65W 65W (Tc) 29W 54W (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2940pF @ 25V 2940pF @ 25V 845pF @ 25V 2250pF @ 25V
Serie OptiMOS™ OptiMOS™T2 Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Caratteristica FET - - Logic Level Gate -
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 20A 20A (Tc) 16A 20A (Tc)

IPG20N04S408ATMA1 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IPG20N04S408ATMA1 PDF e la documentazione Infineon Technologies per IPG20N04S408ATMA1 - Infineon Technologies.

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