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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciIPG16N10S4L61AATMA1
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IPG16N10S4L61AATMA1 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IPG16N10S4L61AATMA1
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IPG16N10S4L61AATMA1
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerVDFN
Scheda dati
IPG16N10S4L61AATMA1.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 79230

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IPG16N10S4L61AATMA1
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IPG16N10S4L61AATMA1, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IPG16N10S4L61AATMA1

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2.1V @ 90µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TDSON-8-10  
Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 61mOhm @ 16A, 10V  
Potenza - Max 29W  
Contenitore / involucro 8-PowerVDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount, Wettable Flank  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 845pF @ 25V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 10V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 100V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 16A  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base IPG16N10  

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Proprietà del prodotto IPG16N10S4L61AATMA1 IPG20N04S409ATMA1 IPG15N06S3L-45 IPG20N04S408ATMA1
Modello di prodotti IPG16N10S4L61AATMA1 IPG20N04S409ATMA1 IPG15N06S3L-45 IPG20N04S408ATMA1
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 845pF @ 25V 2250pF @ 25V 1420pF @ 25V 2940pF @ 25V
Vgs (th) (max) a Id 2.1V @ 90µA 4V @ 22µA 2.2V @ 10µA 4V @ 30µA
Tensione drain-source (Vdss) 100V 40V 55V 40V
Rds On (max) a Id, Vgs 61mOhm @ 16A, 10V 8.6mOhm @ 17A, 10V 45mOhm @ 10A, 10V 7.6mOhm @ 17A, 10V
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 10V 28nC @ 10V 20nC @ 10V 36nC @ 10V
Contenitore dispositivo fornitore PG-TDSON-8-10 PG-TDSON-8 PG-TDSON-8-4 PG-TDSON-8-4
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tipo montaggio Surface Mount, Wettable Flank Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Potenza - Max 29W 54W (Tc) 21W 65W
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 16A 20A (Tc) 15A 20A
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Contenitore / involucro 8-PowerVDFN 8-PowerTDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN
Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™
Caratteristica FET Logic Level Gate - Logic Level Gate -
Numero di prodotto di base IPG16N10 IPG20N IPG15N IPG20N

IPG16N10S4L61AATMA1 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IPG16N10S4L61AATMA1 PDF e la documentazione Infineon Technologies per IPG16N10S4L61AATMA1 - Infineon Technologies.

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