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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciIPG20N04S4-08
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IPG20N04S4-08 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IPG20N04S4-08
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IPG20N04S4-08
Modello ECAD
Descrizione delle parti
IPG20N04 - 20V-40V N-CHANNEL AUT
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerVDFN
Scheda dati
IPG20N04S4-08.pdf
In magazzino: 4260

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IPG20N04S4-08
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IPG20N04S4-08, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IPG20N04S4-08

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 30µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TDSON-8-4  
Serie OptiMOS™T2  
Rds On (max) a Id, Vgs 7.6mOhm @ 17A, 10V  
Potenza - Max 65W (Tc)  
Contenitore / involucro 8-PowerVDFN  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2940pF @ 25V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 10V  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 40V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 20A (Tc)  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base IPG20N  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IPG20N04S4-08

Proprietà del prodotto IPG20N04S4-08 IPG20N04S409ATMA1 IPG15N06S3L-45 IPG20N04S408ATMA1
Modello di prodotti IPG20N04S4-08 IPG20N04S409ATMA1 IPG15N06S3L-45 IPG20N04S408ATMA1
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Potenza - Max 65W (Tc) 54W (Tc) 21W 65W
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 20A (Tc) 20A (Tc) 15A 20A
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 30µA 4V @ 22µA 2.2V @ 10µA 4V @ 30µA
Contenitore dispositivo fornitore PG-TDSON-8-4 PG-TDSON-8 PG-TDSON-8-4 PG-TDSON-8-4
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain-source (Vdss) 40V 40V 55V 40V
Numero di prodotto di base IPG20N IPG20N IPG15N IPG20N
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 10V 28nC @ 10V 20nC @ 10V 36nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2940pF @ 25V 2250pF @ 25V 1420pF @ 25V 2940pF @ 25V
Contenitore / involucro 8-PowerVDFN 8-PowerTDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN
Rds On (max) a Id, Vgs 7.6mOhm @ 17A, 10V 8.6mOhm @ 17A, 10V 45mOhm @ 10A, 10V 7.6mOhm @ 17A, 10V
Caratteristica FET - - Logic Level Gate -
Pacchetto Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Serie OptiMOS™T2 Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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