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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIPD25CN10NGATMA1
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IPD25CN10NGATMA1 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IPD25CN10NGATMA1
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IPD25CN10NGATMA1
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
IPD25CN10NGATMA1.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 67860

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IPD25CN10NGATMA1
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IPD25CN10NGATMA1, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IPD25CN10NGATMA1

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 39µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO252-3  
Serie OptiMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 25mOhm @ 35A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 71W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2070 pF @ 50 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 35A (Tc)  
Numero di prodotto di base IPD25CN10  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IPD25CN10NGATMA1

Proprietà del prodotto IPD25CN10NGATMA1 IPD230N06LG IPD25N06S4L30ATMA2 IPD25CN10
Modello di prodotti IPD25CN10NGATMA1 IPD230N06LG IPD25N06S4L30ATMA2 IPD25CN10
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 35A (Tc) 30A (Tc) 25A (Tc) -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V - 4.5V, 10V -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Caratteristica FET - - - -
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 60 V 60 V -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) -
Serie OptiMOS™ OptiMOS™ Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ -
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 39µA 2V @ 49µA 2.2V @ 8µA -
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO252-3 PG-TO252-3 PG-TO252-3-11 -
Vgs (Max) ±20V - ±16V -
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) - -55°C ~ 175°C (TJ) -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2070 pF @ 50 V 1500 pF @ 30 V 1220 pF @ 25 V -
Rds On (max) a Id, Vgs 25mOhm @ 35A, 10V 23mOhm @ 30A, 10V 30mOhm @ 25A, 10V -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Dissipazione di potenza (max) 71W (Tc) - 29W (Tc) -
Numero di prodotto di base IPD25CN10 - IPD25N06 -
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 10 V 42 nC @ 10 V 16.3 nC @ 10 V -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel -

IPD25CN10NGATMA1 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IPD25CN10NGATMA1 PDF e la documentazione Infineon Technologies per IPD25CN10NGATMA1 - Infineon Technologies.

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