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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIPD25N06S4L30ATMA2
IPD25N06S4L30ATMA2 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IPD25N06S4L30ATMA2 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IPD25N06S4L30ATMA2
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IPD25N06S4L30ATMA2
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 60V 25A TO252-31
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
IPD25N06S4L30ATMA2.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 111620

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IPD25N06S4L30ATMA2
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IPD25N06S4L30ATMA2, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IPD25N06S4L30ATMA2

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2.2V @ 8µA  
Vgs (Max) ±16V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO252-3-11  
Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 30mOhm @ 25A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 29W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1220 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 16.3 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 25A (Tc)  
Numero di prodotto di base IPD25N06  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IPD25N06S4L30ATMA2

Proprietà del prodotto IPD25N06S4L30ATMA2 IPD25CN10NGATMA1 IPD26N06S2L35ATMA2 IPD25N06S4L-30
Modello di prodotti IPD25N06S4L30ATMA2 IPD25CN10NGATMA1 IPD26N06S2L35ATMA2 IPD25N06S4L-30
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Numero di prodotto di base IPD25N06 IPD25CN10 IPD26N06 -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Caratteristica FET - - - -
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO252-3-11 PG-TO252-3 PG-TO252-3-11 -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 16.3 nC @ 10 V 31 nC @ 10 V 24 nC @ 10 V -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1220 pF @ 25 V 2070 pF @ 50 V 621 pF @ 25 V -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 25A (Tc) 35A (Tc) 30A (Tc) -
Vgs (Max) ±16V ±20V ±20V -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™ -
Dissipazione di potenza (max) 29W (Tc) 71W (Tc) 68W (Tc) -
Vgs (th) (max) a Id 2.2V @ 8µA 4V @ 39µA 2V @ 26µA -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 10V 4.5V, 10V -
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 100 V 55 V -
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -
Rds On (max) a Id, Vgs 30mOhm @ 25A, 10V 25mOhm @ 35A, 10V 35mOhm @ 13A, 10V -

IPD25N06S4L30ATMA2 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IPD25N06S4L30ATMA2 PDF e la documentazione Infineon Technologies per IPD25N06S4L30ATMA2 - Infineon Technologies.

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