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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIPD230N06LG
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IPD230N06LG - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IPD230N06LG
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IPD230N06LG
Modello ECAD
Descrizione delle parti
N-CHANNEL POWER MOSFET
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
IPD230N06LG.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 3750

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IPD230N06LG
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IPD230N06LG, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IPD230N06LG

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 49µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO252-3  
Serie OptiMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 23mOhm @ 30A, 10V  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1500 pF @ 30 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 42 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IPD230N06LG

Proprietà del prodotto IPD230N06LG IPD220N06L3GBTMA1 IPD25CN10NGATMA1 IPD220N06L3G
Modello di prodotti IPD230N06LG IPD220N06L3GBTMA1 IPD25CN10NGATMA1 IPD220N06L3G
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO252-3 PG-TO252-3 PG-TO252-3 -
Rds On (max) a Id, Vgs 23mOhm @ 30A, 10V 22mOhm @ 30A, 10V 25mOhm @ 35A, 10V -
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 49µA 2.2V @ 11µA 4V @ 39µA -
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1500 pF @ 30 V 1600 pF @ 30 V 2070 pF @ 50 V -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 42 nC @ 10 V 10 nC @ 4.5 V 31 nC @ 10 V -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Pacchetto Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 60 V 100 V -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Serie OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™ -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Tc) 30A (Tc) 35A (Tc) -
Caratteristica FET - - - -

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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