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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloBSZ050N03MSGATMA1
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

BSZ050N03MSGATMA1 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
BSZ050N03MSGATMA1
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-BSZ050N03MSGATMA1
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 15A/40A 8TSDSON
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerTDFN
Scheda dati
BSZ050N03MSGATMA1.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 136790

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Specifiche

Specifiche tecnologiche BSZ050N03MSGATMA1
Specifiche tecniche Infineon Technologies - BSZ050N03MSGATMA1, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - BSZ050N03MSGATMA1

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TSDSON-8  
Serie OptiMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 4.5mOhm @ 20A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.1W (Ta), 48W (Tc)  
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3600 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 46 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 15A (Ta), 40A (Tc)  
Numero di prodotto di base BSZ050  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies BSZ050N03MSGATMA1

Proprietà del prodotto BSZ050N03MSGATMA1 BSZ058N03LSGATMA1 BSZ0506NSATMA1 BSZ050N03MSG
Modello di prodotti BSZ050N03MSGATMA1 BSZ058N03LSGATMA1 BSZ0506NSATMA1 BSZ050N03MSG
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Contenitore dispositivo fornitore PG-TSDSON-8 PG-TSDSON-8 PG-TSDSON-8-FL -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN -
Numero di prodotto di base BSZ050 BSZ058 BSZ0506 -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Serie OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™ -
Dissipazione di potenza (max) 2.1W (Ta), 48W (Tc) 2.1W (Ta), 45W (Tc) 2.1W (Ta), 27W (Tc) -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 15A (Ta), 40A (Tc) 15A (Ta), 40A (Tc) 15A (Ta), 40A (Tc) -
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA 2.2V @ 250µA 2V @ 250µA -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V -
Rds On (max) a Id, Vgs 4.5mOhm @ 20A, 10V 5.8mOhm @ 20A, 10V 4.4mOhm @ 20A, 10V -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 46 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V 15 nC @ 10 V -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Caratteristica FET - - - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3600 pF @ 15 V 2400 pF @ 15 V 950 pF @ 15 V -

BSZ050N03MSGATMA1 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica BSZ050N03MSGATMA1 PDF e la documentazione Infineon Technologies per BSZ050N03MSGATMA1 - Infineon Technologies.

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